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请教一个V6器件访问DDR2的问题

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xiaomeng0537|  楼主 | 2012-5-15 10:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
各位大侠,我现在用V6的FPGA来访问1GB的DDR2 SODIMM.IP核MIG3.6.
     我现在测试写过程,前端的数据250M下的64bit,然后通过一个64转256的FIFO接口,DDR2的系统时钟采用200M.
    我现在是不停的写数据,按道理,DDR2这个速度应该可以接受的,并且DDR2的APP_ADDR应该是逐渐递增循环的,我现在发现,在写数据的过程中,DDR2控制器的一个信号APP_WDF_RDY从开始一直为1,逐渐变成有1 有0,再往后,0越来越多,最后就一直为0了,这时,数据就写不到DDR2中去了.
  我现在不明白的是,为什么APP_WDF_RDY信号会逐渐变为0啊,看资料上说这个信号DDR2是否允许写的标志,不知道这个信号会漫漫的变成0啊.还有一个是,我采用200M的系统时钟,其速度是不是100M*256bit啊?,理论上,前边的数据最大是多少能保证数据无误的写DDR2中去.
  请大侠帮忙。

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沙发
molagefei| | 2012-5-23 20:26 | 只看该作者
:L,帮顶吧。

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年轻不再| | 2012-5-23 20:39 | 只看该作者
呼叫大侠。我也要学习。:L

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