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关于MCU IO作为输出口连接负载过重影响的疑问

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       在嵌入式系统中,对于简单的IO作为输出使用时,因为IO的电流输出能力(拉电流和灌电流)在MCU的规格书中都会有一定的限制。我有个疑问就是:当以如下图IO口作为普通GPIO使用时,与IO相关的负载输出有如下疑问,还请论坛的大神能深入讲解一下:
一、当IO输出“1“时,若负载电阻相对较小(以Vdd/Rload大于该IO可输出电流能力时),会产生什么影响?
是不是A点正常高电平输出应该约等于Vdd(如+5V),实际可能输出是A点电平会较Vdd相差较大?因为规格书中并没有推挽输出导通时Vce的电压(或等效电阻),这个是不是就很难去计算具体应该是多少?
已经超过IO的输出能力,如何评估对MCU的IO可靠性影响呢?若类似以用GPIO简单模式IIC驱动一个EEPROM,偶尔会在某个电平切换时间会出现这样一个短暂时间(约几us)这种情况,对实际IIC通讯没有多大影响,会对MCU造成很大影响么?
二、以“一”反向讨论,当IO外部所接的负载是一个上拉到Vdd的负载时,当该负载电阻相对较小(以Vdd/Rload大于该IO可输出电流能力时)超过了MCU的灌电流能力,又会产生什么影响呢?如何评估这种短暂的过载对芯片的影响呢?



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沙发
LcwSwust| | 2024-2-24 10:51 | 只看该作者
我一般就当它内部串了个电阻。

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板凳
cooldog123pp| | 2024-2-24 18:13 | 只看该作者
一般IO驱动能力都是mA级别的啊,如果负载很大加mos或者三极管驱动一下呗!

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地板
zwsam| | 2024-2-25 09:13 | 只看该作者

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5
jackjie89|  楼主 | 2024-2-25 09:48 | 只看该作者
cooldog123pp 发表于 2024-2-24 18:13
一般IO驱动能力都是mA级别的啊,如果负载很大加mos或者三极管驱动一下呗!

恩,了解IO一般驱动能力比较低,主要是想了解短暂(us级别)操过了IO规格书的驱动电流会产生啥影响?

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6
mmuuss586| | 2024-2-25 14:54 | 只看该作者
超过的话,会烧IO;
甚至炸芯片

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7
coody| | 2024-2-26 14:15 | 只看该作者
电流大,内部电路压降也大,能避免就避免。

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