打印

关于MOS管的电阻问题。

[复制链接]
14945|23
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-15 23:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
sfpxfpcfp| | 2012-5-15 23:06 | 只看该作者
这问题多问童老师

使用特权

评论回复
板凳
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-15 23:11 | 只看该作者
2# sfpxfpcfp
课本上感觉还是不怎么明白,呵呵
我想请教下你,导通电阻单纯指的是VGS够大时的电阻么?恒流区时RDS是叫导通电阻不?如果是,为什么都说MOS管的导通电阻很小?

使用特权

评论回复
地板
HWM| | 2012-5-16 00:29 | 只看该作者
to LZ:

1)当 Vgs > Vt ,且 Vds > Vgs - Vt 时,MOSFET 处于饱和区(近似表现为受控电流源)。在此状态下DS两端的微变电阻很大,直流电阻是个变数。

2)MOS管的导通电阻(Ron)是其处于变阻区(Vds < Vgs -Vt)时所呈现的最小直流电阻,此电阻越小表明过电流的能力越大。

3)MOS可以工作在截止、变阻和饱和三区中的任何一个,具体视应用而定。

使用特权

评论回复
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
堂堂菜鸟 + 1
5
blessdxp| | 2012-5-16 08:13 | 只看该作者
mos要看你用在什么场合,有的工作在放大区,有的工作在饱和区,放大区电阻可以控制,饱和区电阻值基本不变

使用特权

评论回复
6
HWM| | 2012-5-16 08:33 | 只看该作者
mos要看你用在什么场合,有的工作在放大区,有的工作在饱和区,放大区电阻可以控制,饱和区电阻值基本不变
blessdxp 发表于 2012-5-16 08:13

MOSFET(以NMOS为例)的三个“工作区”一般称为:

1)截止区(Vgs < Vt),基本无电流(Ids = 0)。

2)饱和区(Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt),近似呈现为受(Vgs)控电流源。

3)变阻区(Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt),靠近Vds~Ids原点处近似呈现电阻特性,其电阻值受控于Vgs。

使用特权

评论回复
评论
yaorui12 2020-7-10 10:54 回复TA
应该叫恒流区,饱和区名字容易产生误导,对应三极管的放大区 
7
lymex| | 2012-5-16 08:54 | 只看该作者
这个最好要看曲线。
电阻可以分为静态电阻和动态电阻,前者也就是表现电阻,就是当前的电压除电流;后者是切线电阻、微分电阻,是局部变化很小的电压除上对于的电流变化。
无论静态电阻和动态电阻,都是随工作点而变化的。

使用特权

评论回复
8
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-16 23:02 | 只看该作者
这个最好要看曲线。
电阻可以分为静态电阻和动态电阻,前者也就是表现电阻,就是当前的电压除电流;后者是切线电阻、微分电阻,是局部变化很小的电压除上对于的电流变化。
无论静态电阻和动态电阻,都是随工作点而变 ...
lymex 发表于 2012-5-16 08:54

如果工作在后者的话,MOS管的功耗应该怎么计算?

使用特权

评论回复
9
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-16 23:03 | 只看该作者
7# lymex
如果工作在后者的话,MOS管的功耗与导通电阻有什么关系,怎么计算,使用电流平方去乘以什么电阻

使用特权

评论回复
10
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-16 23:04 | 只看该作者
6# HWM
如果工作在后者的话,MOS管的功耗与导通电阻有什么关系,怎么计算,使用电流平方去乘以什么电阻

使用特权

评论回复
11
HWM| | 2012-5-16 23:52 | 只看该作者
to 10L:

若MOSFET导通(处在变阻区),其功耗就是按导通电阻损耗计算,即 Id^2 Ron。

使用特权

评论回复
12
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-17 10:17 | 只看该作者
11# HWM
那如果处在恒流区呢?

使用特权

评论回复
13
HWM| | 2012-5-17 10:31 | 只看该作者
11# HWM
那如果处在恒流区呢?
堂堂菜鸟 发表于 2012-5-17 10:17

“恒流区”(即饱和区)呈受控电流源特性,输出特性图(Uds~Ids)中为一接近水平的横线。饱和区通常是作为线性小信号放大用。

如果MOSFET是用于开关作用,则基本只会在截止和变阻区间跳跃。

使用特权

评论回复
14
堂堂菜鸟|  楼主 | 2012-5-21 11:49 | 只看该作者
14# HWM
‘我现在不明白的一点就是,工作在恒流区,流过MOS管的电流没变化,这时候的功耗是电流方乘以导通电阻还是那个特别大的电阻

使用特权

评论回复
15
maychang| | 2012-5-21 11:59 | 只看该作者
15楼:
都不是。
应该拿此时的电压乘此时的电流。

使用特权

评论回复
16
HWM| | 2012-5-21 12:03 | 只看该作者
to 15L:

在“恒流区”时,其管耗用管电流(Id)乘管压降(Uds)计算。因为此不是个单纯的电阻,故不能用I^2 R计算。“那个特别大的电阻”是“恒流区”中那个非理想受控电流源的输出阻抗,不同于一般意义的直流电阻。

使用特权

评论回复
17
鸟鸟| | 2012-5-23 12:53 | 只看该作者
“如果MOSFET是用于开关作用,则基本只会在截止和变阻区间跳跃”

使用特权

评论回复
18
鸟鸟| | 2012-5-23 12:57 | 只看该作者
3)变阻区(Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt),靠近Vds~Ids原点处近似呈现电阻特性,其电阻值受控于Vgs。

在变阻区,阻值不就是规格书上写的Ron吗?
为何还说“其电阻值受控于Vgs”?

使用特权

评论回复
19
HWM| | 2012-5-23 13:42 | 只看该作者
to 19L:

“变阻区”顾名思义自然其电阻会变(近似正比于 Vgs - Vt )。Ron 则是 Vgs 在一定值下的 Rds(具体看相关器件的数据手册)。

使用特权

评论回复
20
lubaodong| | 2013-1-15 13:31 | 只看该作者
不错,看了略有心得。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

5

主题

43

帖子

0

粉丝