关于MOS管的电阻问题。

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 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-15 23:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
我对MOS管的电阻问题头疼不是一天两天了
1,VGS大于导通电压,当VDS足够大MOS管进入恒流区的时候,D,S两端的电阻还是不是导通电阻?很大还是很小?
2,MOS管的导通电阻是一个很重要的参数吗?为什么?
3,MOS管通常工作于什么区?可变电阻区还是横流区?
sfpxfpcfp 发表于 2012-5-15 23:06 | 显示全部楼层
这问题多问童老师
 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-15 23:11 | 显示全部楼层
2# sfpxfpcfp
课本上感觉还是不怎么明白,呵呵
我想请教下你,导通电阻单纯指的是VGS够大时的电阻么?恒流区时RDS是叫导通电阻不?如果是,为什么都说MOS管的导通电阻很小?
HWM 发表于 2012-5-16 00:29 | 显示全部楼层
to LZ:

1)当 Vgs > Vt ,且 Vds > Vgs - Vt 时,MOSFET 处于饱和区(近似表现为受控电流源)。在此状态下DS两端的微变电阻很大,直流电阻是个变数。

2)MOS管的导通电阻(Ron)是其处于变阻区(Vds < Vgs -Vt)时所呈现的最小直流电阻,此电阻越小表明过电流的能力越大。

3)MOS可以工作在截止、变阻和饱和三区中的任何一个,具体视应用而定。

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blessdxp 发表于 2012-5-16 08:13 | 显示全部楼层
mos要看你用在什么场合,有的工作在放大区,有的工作在饱和区,放大区电阻可以控制,饱和区电阻值基本不变
HWM 发表于 2012-5-16 08:33 | 显示全部楼层
mos要看你用在什么场合,有的工作在放大区,有的工作在饱和区,放大区电阻可以控制,饱和区电阻值基本不变
blessdxp 发表于 2012-5-16 08:13

MOSFET(以NMOS为例)的三个“工作区”一般称为:

1)截止区(Vgs < Vt),基本无电流(Ids = 0)。

2)饱和区(Vgs > Vt 且 Vds > Vgs - Vt),近似呈现为受(Vgs)控电流源。

3)变阻区(Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt),靠近Vds~Ids原点处近似呈现电阻特性,其电阻值受控于Vgs。

评论

应该叫恒流区,饱和区名字容易产生误导,对应三极管的放大区  发表于 2020-7-10 10:54
lymex 发表于 2012-5-16 08:54 | 显示全部楼层
这个最好要看曲线。
电阻可以分为静态电阻和动态电阻,前者也就是表现电阻,就是当前的电压除电流;后者是切线电阻、微分电阻,是局部变化很小的电压除上对于的电流变化。
无论静态电阻和动态电阻,都是随工作点而变化的。
 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-16 23:02 | 显示全部楼层
这个最好要看曲线。
电阻可以分为静态电阻和动态电阻,前者也就是表现电阻,就是当前的电压除电流;后者是切线电阻、微分电阻,是局部变化很小的电压除上对于的电流变化。
无论静态电阻和动态电阻,都是随工作点而变 ...
lymex 发表于 2012-5-16 08:54

如果工作在后者的话,MOS管的功耗应该怎么计算?
 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-16 23:03 | 显示全部楼层
7# lymex
如果工作在后者的话,MOS管的功耗与导通电阻有什么关系,怎么计算,使用电流平方去乘以什么电阻
 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-16 23:04 | 显示全部楼层
6# HWM
如果工作在后者的话,MOS管的功耗与导通电阻有什么关系,怎么计算,使用电流平方去乘以什么电阻
HWM 发表于 2012-5-16 23:52 | 显示全部楼层
to 10L:

若MOSFET导通(处在变阻区),其功耗就是按导通电阻损耗计算,即 Id^2 Ron。
 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-17 10:17 | 显示全部楼层
11# HWM
那如果处在恒流区呢?
HWM 发表于 2012-5-17 10:31 | 显示全部楼层
11# HWM
那如果处在恒流区呢?
堂堂菜鸟 发表于 2012-5-17 10:17

“恒流区”(即饱和区)呈受控电流源特性,输出特性图(Uds~Ids)中为一接近水平的横线。饱和区通常是作为线性小信号放大用。

如果MOSFET是用于开关作用,则基本只会在截止和变阻区间跳跃。
 楼主| 堂堂菜鸟 发表于 2012-5-21 11:49 | 显示全部楼层
14# HWM
‘我现在不明白的一点就是,工作在恒流区,流过MOS管的电流没变化,这时候的功耗是电流方乘以导通电阻还是那个特别大的电阻
maychang 发表于 2012-5-21 11:59 | 显示全部楼层
15楼:
都不是。
应该拿此时的电压乘此时的电流。
HWM 发表于 2012-5-21 12:03 | 显示全部楼层
to 15L:

在“恒流区”时,其管耗用管电流(Id)乘管压降(Uds)计算。因为此不是个单纯的电阻,故不能用I^2 R计算。“那个特别大的电阻”是“恒流区”中那个非理想受控电流源的输出阻抗,不同于一般意义的直流电阻。
鸟鸟 发表于 2012-5-23 12:53 | 显示全部楼层
“如果MOSFET是用于开关作用,则基本只会在截止和变阻区间跳跃”
鸟鸟 发表于 2012-5-23 12:57 | 显示全部楼层
3)变阻区(Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt),靠近Vds~Ids原点处近似呈现电阻特性,其电阻值受控于Vgs。

在变阻区,阻值不就是规格书上写的Ron吗?
为何还说“其电阻值受控于Vgs”?
HWM 发表于 2012-5-23 13:42 | 显示全部楼层
to 19L:

“变阻区”顾名思义自然其电阻会变(近似正比于 Vgs - Vt )。Ron 则是 Vgs 在一定值下的 Rds(具体看相关器件的数据手册)。
lubaodong 发表于 2013-1-15 13:31 | 显示全部楼层
不错,看了略有心得。
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