新唐MCU的内存的具体大小是多少？

发表于 2024-3-12 20:00

新唐MCU的内存架构通常包括SRAM、Flash等不同类型的内存。请问这些内存的具体大小是多少？Flash内存是否支持在线编程（OTP）或在线擦除（OTE）？SRAM的访问速度如何？内存架构的设计对于实时操作系统（RTOS）或复杂应用程序的性能有何影响？

发表于 2024-3-13 09:27

具体芯片具体分析，每个芯片内存不一样

发表于 2024-3-13 09:36

请参阅具体芯片型号的datasheet

发表于 2024-3-13 16:26

看型号吧，型号不同内存也会不同

发表于 2024-3-13 16:27

关于Flash内存是否支持在线编程（OTP）或在线擦除（OTE），这同样取决于具体的MCU型号。一些新唐MCU的Flash内存确实支持这些功能，使得在运行时可以更新或修改程序和数据。然而，不是所有的MCU都具备这种能力，因此，在选择MCU时，需要根据项目需求来确认是否支持这些功能。

发表于 2024-3-13 16:28

SRAM的访问速度通常非常快，因为它是静态的，不需要刷新，且直接映射到CPU的地址空间。

发表于 2024-5-14 22:20

新唐MCU的Flash内存大小通常在几十KB到几百KB不等，具体大小取决于具体型号和系列。

发表于 2024-5-15 01:00

关于在线编程（OTP）或在线擦除（OTE），一般情况下，Flash内存支持在线编程和擦除。这意味着可以在MCU运行时通过编程器或者MCU内部的Bootloader对Flash进行编程和擦除操作，而不需要将芯片从目标板上取下来

发表于 2024-5-15 03:00

SRAM的大小通常在几KB到几十KB不等，也取决于具体型号和系列。

发表于 2024-5-15 05:00

正常来说SRAM的访问速度一般比Flash快得多，可以满足对内存访问速度要求较高的应用。

发表于 2024-5-15 07:00

内存架构的设计对于实时操作系统（RTOS）或复杂应用程序的性能有很大的影响。

发表于 2024-5-15 09:00

其实较大的Flash内存可以容纳更多的代码和数据，适用于复杂的应用程序

发表于 2024-5-15 11:00

一般来说，较大的SRAM可以提供更多的工作内存，有利于实时操作系统的运行和复杂应用程序的执行。

发表于 2024-5-15 13:00

我觉得Flash内存的在线编程和擦除功能可以方便地更新固件，适用于需要远程升级的应用场景。

发表于 2024-5-15 15:00

啥叫具体大小？手册不都写了吗

发表于 2024-5-15 19:00

一般MCU的内存啊，就是flash，这是存程序的地方

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