本帖最后由 集智创芯科技 于 2024-3-13 11:30 编辑
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有开关特性，是电力电子器件重要的控制元件。
IGBT不仅有MOSFET的高输入阻抗特性而且同时具备了GTR的低导通压降的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两者的优点。
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图1 IGBT内线结构及简化的等效电路图
IGBT第一代产品是平面栅穿通(PT)型IGBT，这一阶段的IGBT产品电压还较低，基区厚度通常较高，从几十到一百多微米不等。所以IGBT芯片开关速度普遍不高，且不宜并联使用，短路能力也较差。
TP7512KTS1
TP7512KTS1是75A，1200V高可靠性IGBT模块，采用高速沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管。 主要特征 - 低VCE(sat)
- 低开关损耗
- 内置快恢复二极管
- Tvj op=150°C
- VCE(sat)带正温度系数
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