1 RAM与ROM
按照存储器存放信息易失性，可分为RAM和ROM:
RAM：随机存储器（Random Access Memory），读写速度快，但掉电时会丢失其存储的内容
ROM：只读存储器（Read-Only Memory）,存储的内容掉电后不会丢失
1.1 RAM
按照RAM存储单元的工作原理，又可分为如下几类：
SRAM：静态随机存储器（Static RAM）,它是靠触发器的自保护功能存储数据，数据一旦写入，其信息就稳定的保存在电路中等待读出，无论读出多少次，只要不断电，信息会一直保存
DRAM：动态随机存储器（Dynamic RAM），它将每个位存储为对一个电容的充电，而它的电容容量小，易漏电，因此需要定时给电容补电，通常称为"刷新"
DDR SDRAM：双倍速率同步动态随机存储器（Double Date Rate SDRAM），或称为DDR。DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展而来的
1.2 ROM
PROM：可编程只读存储器（Programmable ROM）
EPROM：可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable ROM）
EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable ROM）
2 Cache
Cache是一种比常见内存更快的存储器，一般称为高速缓存存储器。
根据Cache的工作机制，可分为：
回写式Cache：当CPU执行写数据时，回写式Cache只把该数据写入其数据地址对应的Cache中，不直接写入内存。仅当该Cache块需要替换时，才把Cache写回写入内存中
写通式Cache：当CPU执行写数据时，写通式Cache必须同时把该数据写入其数据地址对应的Cache块和内存中。
3 其它
3.1 Flash
Flash称为快闪存储器，简称闪存，因其擦除和写入速度比较快而得名。
Flash是EEPROM的变种，不同的是EEPROM能在字节水平上进行擦除重新，而Flash需要在块的水平上进行擦除。
NOR Flash：它带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以方便地存取其内部的每一个字节，因此可直接连接总线系统，构成内存储器
NAND Flash：它使用复杂的I/O口来串行地存取数据，采用串行接口，不能直接构成内存，只能用来构成外部存储器
两者的一些特点对比：
NOR的读速度比NAND稍快
NAND的写速度比NOR快很多
NAND的擦除速度也比NOR快很多
NAND的擦除单元更小
NOR上可直接运行程序，NAND只能存储信息
3.2 磁盘、光盘等
磁盘：利用磁头变化和磁化电流进行读/写的存储器
光盘：用光学方式读/写信息的圆盘
CF卡：紧凑式闪存（Compact Flash），由SanDisk公司于1994年生成，并制定相关规范
SD卡：安全数字存储卡（Secure Digital Memory Card）
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