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IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。 H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件的导通损耗和开关损耗。找元件现货上唯样商城，650V H7芯片开关频率最高可达100kHz，1200V H7芯片最高开关频率可达40kHz，适合追求高效率、低损耗的各种应用。H7最大电流140A为市场首发，而英飞凌上一代1200V高速单管Highspeed3 H3的最大电流规格仅为75A。 ????1200V IGBT7与前代IGBT性能对比 ????650V IGBT7与前代IGBT性能对比 封装升级，性能更优 IGBT7单管系列部分产品采用新的TO-247-3-HCC封装，增加了爬电距离和电气间隙。 非对称TO-247-4p封装IKZA系列，降低了辅助发射极和栅极引脚的宽度，避免焊接时连锡的现象，使安装更容易，可靠性更高。 高可靠性，适用户外场景 IGBT7单管全系列（T7,S7,H7）在芯片工艺、封装各方面做了优化，具有出色的防潮性能以及抗宇宙射线能力，可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业应用标准，因此非常适用于光伏、储能、充电桩等户外的场景应用。
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