本帖最后由 linxi6414 于 2024-4-13 21:44 编辑
需要采样一个霍尔电流传感器过来的电压信号，该信号传感器在零电流时输出的电压为二分之一VCC，正电流时输出电压上升，负电流时输出电压下降，现在想用TM7705进行信号采集，电路如下，发现配置好程序后，采集到的数据，快达到最大值了，实际的输入电压误差并不大，AIN-:1.240V AIN+:1.201V，采集到的数据转换为10进制后为59755（只取24位中的8-23位，0-7位舍弃），如果设置为单端模式时，是正常的，设置为差分模式时数据明显不对。
初始化程序如下：
TM7707_WriteByte1(0x10);//向通信寄存器写数据,选择通道 1 作为有效通道，将下一个操作设为对设置寄存器进行写操作。
TM7707_WriteByte1(0x42);// 0100 0010 对设置寄存器写操作，自校准模式，选择1倍增益,双极性 缓冲器。
TM7707_WriteByte1(0x50);//向通信寄存器写数据，选择通道 1 作为有效通道,将下一个操作设为对滤波低寄存器进行写操作。
TM7707_WriteByte1(0x00);//向滤波低寄存器写入 0x00.
TM7707_WriteByte1(0x20);//向通信寄存器写数据，选择通道 1 作为有效通道,将下一个操作设为对滤波高寄存器进行写操作。
TM7707_WriteByte1(0x1f);//向滤波高寄存器写入 0x1f,主时钟禁止。
TM7707_WriteByte1(0x40);//向测试寄存器写数据，
TM7707_WriteByte1(0x01);//写入01，启动内部基准
while(TM7707_DRY);
TM7707_Read();
TM7707_WriteByte1(0x10);//向通信寄存器写数据,选择通道 1 作为有效通道，将下一个操作设为对设置寄存器进行写操作。
TM7707_WriteByte1(0x02);// 0000 0010 对设置寄存器写操作，普通模式，选择 1 倍增益,双极性 缓冲器。
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