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IGBT与MOS管的区别

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olivem55arlowe|  楼主 | 2024-4-28 17:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
IGBT和MOS管的区别:
  IIGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT;
多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流子存在,IGBT关断是电流会拖尾,关断速度会减低;
MOS就是MOSFET的简称了;
IGBT和MOS是全控器件,是电压型驱动,即通过控制栅极电压来开通或关断器件;

1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。

2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.

3,就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热(空调),电磁炉,等领域

开关电源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题,但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较,确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用

IGBT和可控硅的区别:
  可控硅是可控硅整流元件的简称,亦称为晶闸管。是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

        IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。


        IGBT与可控硅相比各有优点,前者是可控制开-关元件,后者大多数是只能控制开,不能控制关(现在有可关断可控硅了)。受元件制造工艺和工作原理等影响,前者可在较高频率下工作(最高25KHz左右),后者大多在5KHz以内,这个是前者比后者的优点。但是前者相比的缺点是成本高,制造工艺复杂,在高压大电流元件的制造上,还达不到可控硅的能力,并且在抗过载能力上远远不及可控硅。但是随着制造工艺的进步,短路保护的日趋完善,前者在元件成本上已经大大下降,在很多场合与可控硅相比价格完全可以接受,并且由于控制灵活方便,能取消可控硅电路的关断电路等,在很多场合完全可以替代可控硅,并且性能更好。所以现在很多原来使用可控硅的设备逐渐改用IGBT 了,不能用是不是中频来判断IGBT 或可控硅了。


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micoccd| | 2024-4-29 13:43 | 只看该作者
一个注重频率一个注重耐压把

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chenci2013| | 2024-5-3 14:24 | 只看该作者
IGBT结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管的优点,它的栅极是由MOSFET的栅极结构组成,而发射极和集电极的结构则类似于双极型晶体管。这种结构使得IGBT具备了MOSFET输入阻抗高和双极型晶体管导通压降低的优点。
MOS管是一种场效应晶体管,它由一个金属电极、一个氧化层和一个半导体构成的PN结组成。MOS管分为N沟道和P沟道两种类型,分别适用于不同的电路设计和应用需求。

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beacherblack| | 2024-5-6 10:50 | 只看该作者
IGBT:在导通状态下,IGBT像双极型晶体管一样工作,提供较低的饱和电压和较大的电流能力。在关断状态下,它则像MOSFET一样工作,需要栅极电压来维持关断状态。
MOSFET:是一个场效应晶体管,通过在栅极和源极之间施加电压来控制漏极和源极之间的电流流动。它具有高速开关能力和较低的栅极驱动功率。

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qiufengsd| | 2024-5-6 17:01 | 只看该作者
IGBT的主要优势在于其较高的电压耐受能力和较低的导通损耗,这使得IGBT非常适合应用于高电压、大电流的环境中,如工业电机驱动、电力系统等领域。然而,IGBT的开关速度相比MOS管来说较慢,这限制了它在高频应用中的表现。
MOS管则以开关速度快著称,这使得它在高频应用中表现出色,如计算机、移动设备和通信系统等。但是,MOS管的耐压能力相对较低,不适合在高电压环境中使用。

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backlugin| | 2024-5-7 09:23 | 只看该作者
IGBT的工作原理是在栅极施加正向电压后,首先开通MOSFET部分,形成导电沟道,然后通过这个沟道注入的少数载流子进一步激励双极型晶体管部分,实现较大的电流导通能力。
MOS管则是通过在栅极施加电压,改变半导体表面的势能,从而控制漏源极之间电流的流通。当栅极电压足够高时,会在半导体表面形成导电沟道,允许电流通过。

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everyrobin| | 2024-5-7 12:50 | 只看该作者
MOS管因其体积小、效率高,广泛应用于各种便携设备和电源管理应用中。而IGBT由于能够处理更高的功率,常用于变频器、电动汽车的牵引驱动系统以及电力传输等领域。

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janewood| | 2024-5-7 18:31 | 只看该作者
IGBT:常用于中大功率的应用,如电动汽车、轨道交通、工业变频器等。
MOSFET:适用于高频、小功率或需要快速开关的应用,如电源适配器、笔记本电脑、通信设备等。

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wilhelmina2| | 2024-5-8 14:08 | 只看该作者
MOSFET的成本通常低于IGBT,因为它的制造过程相对简单,且功率处理能力较低。因此,在成本敏感的应用和低功率、高开关频率的场景中,MOSFET通常是工程师的首选。

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Henryko| | 2024-5-8 21:04 | 只看该作者
igbt有没有工作在高频率的啊

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qiufengsd| | 2024-5-9 12:30 | 只看该作者
IGBT由于其优异的电压和电流处理能力,广泛应用于逆变器、变频器、开关电源等高功率应用场合。
MOS管则更多地应用于消费电子、通信设备、汽车电子等领域,特别是在需要快速开关的场合。

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robincotton| | 2024-5-9 15:41 | 只看该作者
IGBT需要相对复杂的驱动电路来保证正确的开关操作,尤其是当它用于高压和大电流应用时。
MOS管的驱动电路相对简单,因为它只需要控制栅极电压就可以控制开关。

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13
jimmhu| | 2024-5-9 19:09 | 只看该作者
IGBT:其栅结构与MOS管相同,但输出特性类似于双极型晶体管。IGBT通过MOSFET的控制电压来控制MOSFET的栅电压,进而控制双极型晶体管的导通和截止。它具有低开关损耗和低导通电压丢失,且耐压能力强。
MOS管:其工作原理基于栅极电场调制半导体中的电子或空穴的浓度,进而控制电流的流动。当栅极和源极之间电压大于某一特定值时,漏极和源极才能导通。

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14
mmbs| | 2024-5-10 10:41 | 只看该作者
IGBT:开关速度较慢,但导通和关断损耗较低,适合于高电压、大电流的应用。
MOSFET:开关速度快,但可能在高电流下产生较大的导通损耗,适用于需要高频开关的应用。

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timfordlare| | 2024-5-10 18:59 | 只看该作者
IGBT结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,具有更广泛的应用范围,特别是在需要高电压、大电流开关操作的场合。而MOS管则以其响应速度快、开关性能稳定等特点,在需要高精度控制和快速响应的场合中表现出色。

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uiint| | 2024-5-12 11:10 | 只看该作者
IGBT的开关速度慢于MOS管,因为它的电荷储存较高,不适合高频应用。
MOS管具有较快的开关速度,尤其适合于高频和高速开关应用。

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gouguoccc| | 2024-5-12 11:23 | 只看该作者
IGBT能够实现大电压和大电流应用

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usysm| | 2024-5-12 17:03 | 只看该作者
MOS管通常适用于低电压、小电流的场合,具有较低的导通电阻和快速切换能力。IGBT则适用于高电压、大电流的应用,尤其是在交流变直流(AC-DC)转换、电机控制等领域表现出色。

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19
qiufengsd| | 2024-5-13 20:55 | 只看该作者
MOSFET是由源极、漏极和栅极端子组成的场效应晶体管,通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。MOSFET分为N沟道和P沟道两种类型,具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好等特点。
IGBT是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极晶体管(BJT)组成的复合器件。它具有高输入阻抗、低电压控制功耗、简单控制电路、高耐压和承受大电流等特点。

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jimmhu| | 2024-5-14 14:15 | 只看该作者
MOS管(MOSFET)是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管,其栅极被绝缘层隔离,分为N沟道和P沟道,增强型和耗尽型等类型。而IGBT(绝缘栅双极晶体管)结合了MOSFET的输入特性和双极晶体管的输出特性,通常用于更高电压和电流的应用场合。

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