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[LKS32 硬件]

宽输入电压的ldo功耗是不是会比普通的大啊?

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楼主
MessageRing|  楼主 | 2024-4-28 14:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
是跟ldo同样的原理实现的吗

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沙发
tpgf| | 2024-5-8 11:25 | 只看该作者
我觉得这个应该不是绝对的 看怎么做对比了

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板凳
xiaoqizi| | 2024-5-8 12:12 | 只看该作者
这个得具体看是什么厂家的芯片 不同的厂家的工艺也不相同

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地板
木木guainv| | 2024-5-8 12:46 | 只看该作者
我们自己可以用同一个厂家的不同芯片做一个测试对比

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磨砂| | 2024-5-8 13:34 | 只看该作者
低压差LDO能够在输入和输出电压之间产生较小的电压降,从而降低功率损耗

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chenqianqian| | 2024-5-8 20:49 | 只看该作者
不是这个说法,功耗和输入范围无关系。

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wowu| | 2024-5-8 21:45 | 只看该作者
ldo本身的功耗就比较大,应该不在乎这点

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wakayi| | 2024-5-8 22:18 | 只看该作者
我感觉主要是宽电压输入的话 整个ldo的效率是不一样的

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豌豆爹| | 2024-5-15 10:57 | 只看该作者
不一定吧

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呐咯密密| | 2024-5-21 13:24 | 只看该作者
这个应该不是绝对的

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xionghaoyun| | 2024-5-22 08:22 | 只看该作者
可以这样理解 纠结这些就上DC-DC电源芯片

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MYWX| | 2024-5-28 09:24 | 只看该作者
关于宽输入电压的LDO(低压差线性稳压器)是否比普通LDO的功耗大,这个问题并没有绝对的答案,因为LDO的功耗与其设计、使用条件以及具体的应用场景有关。以下是一些可能影响LDO功耗的因素:

输入电压范围:宽输入电压的LDO设计用于在更宽的输入电压范围内工作,这可能会影响其内部组件的设计,从而影响功耗。

调整管的选择:在设计LDO时,选择合适的调整管(如PMOS或NMOS)对于降低功耗至关重要。例如,使用PMOS调整管可以实现低漏失电压,从而提高效率。

内部电路设计:LDO的内部电路设计,如预调制电路、电平转移电路、误差放大器等,都会对功耗产生影响。设计良好的电路可以在保持性能的同时降低功耗。

过流保护:一些LDO设计中包含了过流保护功能,这可能会在一定程度上增加功耗,但同时也提高了系统的安全性和可靠性。

效率:LDO的效率取决于输入电压和输出电压之间的差值(压降)。宽输入电压的LDO可能在某些条件下效率较低,但这取决于具体的设计和工作条件。

外部组件:LDO通常需要外部组件,如电容器,以确保稳定性和性能。这些组件的选择和使用也会影响整体功耗。

应用场景:LDO的功耗还受到其应用场景的影响,例如,在需要高负载电流或快速响应的应用中,LDO可能需要消耗更多的功率。

综上所述,宽输入电压的LDO不一定比普通LDO的功耗大,这取决于多种因素。设计者需要根据具体的应用需求和条件来优化LDO的设计,以实现最佳的能效比。

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