本帖最后由 和下土 于 2024-5-1 00:30 编辑
然后在sdram.c文件中封装一个向SDRAM发送命令的函数:/* USER CODE BEGIN 0 */
//发送SDRAM初始化序列
void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram)
{
uint32_t temp=0;
//SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能
HAL_Delay(2); //至少延时200us
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_PALL,1,0); //对所有存储区预充电
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,8,0);//设置自刷新次数
//配置模式寄存器,SDRAM的bit0~bit2为指定突发访问的长度,
//bit3为指定突发访问的类型,bit4~bit6为CAS值,bit7和bit8为运行模式
//bit9为指定的写突发模式,bit10和bit11位保留位
temp=(uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1 | //设置突发长度:1(可以是1/2/4/8)
SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL | //设置突发类型:连续(可以是连续/交错)
SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 | //设置CAS值:3(可以是2/3)
SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD | //设置操作模式:0,标准模式
SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE; //设置突发写模式:1,单点访问
SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE,1,temp); //设置SDRAM的模式寄存器
//刷新频率计数器(以SDCLK频率计数),计算方法:
//COUNT=SDRAM刷新周期/行数-20=SDRAM刷新周期(us)*SDCLK频率(Mhz)/行数
//我们使用的SDRAM刷新周期为64ms,SDCLK=200/2=100Mhz,行数为8192(2^13).
//所以,COUNT=64*1000*100/8192-20=761
HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1,761);
}
//向SDRAM发送命令
//bankx:0,向BANK5上面的SDRAM发送指令
// 1,向BANK6上面的SDRAM发送指令
//cmd:指令(0,正常模式/1,时钟配置使能/2,预充电所有存储区/3,自动刷新/4,加载模式寄存器/5,自刷新/6,掉电)
//refresh:自刷新次数
//regval:模式寄存器的定义
//返回值:0,正常;1,失败.
uint8_t SDRAM_Send_Cmd(uint8_t bankx,uint8_t cmd,uint8_t refresh,uint16_t regval)
{
uint32_t target_bank=0;
FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
if(bankx==0) target_bank=FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
else if(bankx==1) target_bank=FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
Command.CommandMode=cmd; //命令
Command.CommandTarget=target_bank; //目标SDRAM存储区域
Command.AutoRefreshNumber=refresh; //自刷新次数
Command.ModeRegisterDefinition=regval; //要写入模式寄存器的值
if(HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1,&Command,0XFFFF)==HAL_OK) //向SDRAM发送命令
{
return 0;
}
else return 1;
}
/* USER CODE END 0 */
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