近年来，由于SiC耐高压、耐高频、耐高温的特性，SiC成为制作半导体器件的理想材料之一，在汽车上的应用也是日渐增多。但是在实际应用中，并非理想，主要有以下问题：
1)由于SiC晶圆长晶速度慢、缺陷率高，晶圆供应远远无法满足需求。目前SiC的长晶多采用物理气相输运法(PVT)，速度慢而且良率低，主要原因是SiC存在200多种晶体结构类型，其中六方结构的4H型(4H-SiC)等少数几种晶体结构的单晶型SiC才是所需的半导体材料，需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率，以及气流气压等参数，否则易产生多晶型夹杂，导致产出晶体不合格。
2)电气击穿的问题：电源电压(电压、温度或者电流)超过器件承受能力时，可能会发生电气击穿。
3)由于SiC本身耐高温，因此适合在高电压产生高温下使用，但也因为器件自身产生高温或是环境温度过高，导致器件的性能大幅降低、甚至损坏，所以需要更高要求的散热系散热基板，目前用的是AMB基板。
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