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SiC器件实际应用过程中的难点

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楼主
jzzldc|  楼主 | 2024-5-9 10:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
器件, sic器件, sic, ic, IC器件
在使用碳化硅SiC器件/模组的过程中，由于器件自身或者环境因素，会出现一些如下的常见问题：
1、SiC器件自身温度过高或者高电压产生的高温环境下，会加快器件的老化、性能下降，需要更优秀的散热系统。
2、开关速度慢：SiC器件的开关速度是指从关断到导通、从导通到关断的时间。开关速度慢，会导致功率损耗增加。
3、电锁问题：在一些极端情况下(比如：设计缺陷、输出电流波形不合适等)，器件可能无法从关断状态转化为导通状态。

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沙发
xinxianshi| | 2024-5-18 21:36 | 只看该作者
这种可以提供较大的电流吧。

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板凳
Betty1299| | 2024-5-22 14:11 | 只看该作者
SiC（碳化硅）器件在实际应用过程中可能会面临一些挑战和难点

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地板
Charlene沙| | 2024-5-22 15:16 | 只看该作者
封装技术比较麻烦，SiC器件的高功率密度和高工作温度要求高性能的封装技术，以确保器件能够稳定可靠地工作

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5楼
Belle1257| | 2024-5-22 16:25 | 只看该作者
其实，我觉得封装技术需要考虑到SiC器件的高热导率和热膨胀系数，以及对湿气和其他环境因素的抵抗能力

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6楼
Allison8859| | 2024-5-22 17:36 | 只看该作者
驱动和保护电路做小很难，SiC器件的驱动和保护电路需要针对其特殊的电特性进行设计，以确保器件能够在高频率和高温度下稳定工作

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7楼
Emily999| | 2024-5-22 18:39 | 只看该作者
SiC器件的高速开关特性也对驱动电路提出了更高的要求。

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8楼
Betty996| | 2024-5-22 19:42 | 只看该作者
温度散热方面吧，SiC器件的高工作温度和热导率要求系统设计中充分考虑散热和温度管理，以确保器件能够在高温环境下可靠工作

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9楼
alxd| | 2024-5-23 07:15 | 只看该作者
电磁干扰和损耗，SiC器件的高频率特性和高功率密度可能会导致电磁干扰和损耗问题，需要在设计中进行充分考虑和优化

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10楼
Carina卡| | 2024-5-23 08:20 | 只看该作者
可靠性和寿命：SiC器件的可靠性和寿命是一个重要的考量因素，需要在设计和制造过程中充分考虑材料、工艺和结构等方面的因素，以确保器件能够长期稳定可靠地工作

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11楼
Annie556| | 2024-5-23 10:15 | 只看该作者
针对这些难点，需要在SiC器件的设计、制造、封装和系统集成等方面进行深入研究和优化，以克服这些挑战，推动SiC器件在实际应用中的广泛应用

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12楼
Candic12e| | 2024-5-23 11:48 | 只看该作者
电路设计方面，针对布局啥的，也是要考究的，所以技术不够也不行啦

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