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IAP读写时所花的时间是多少

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eefas|  楼主 | 2024-5-15 08:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
请参考以下表格:


IC Type
Erase Page(512Bytes)
Program(Byte)
Read(Byte)
89 Series
21ms ~ 49ms
100us ~ 300us
30us ~ 71us
82 Series
23ms ~ 41ms
66us ~ 112us
1.8us ~ 7.8us

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albertaabbot| | 2024-6-4 09:35 | 显示全部楼层
不同的单片机及其配置(如时钟频率)也会影响IAP操作的速度。

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lihuami| | 2024-6-4 10:59 | 显示全部楼层
IAP编程算法的效率也会影响读写时间。一些优化的算法可以减少编程所需的总时间。

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lzbf| | 2024-6-5 14:49 | 显示全部楼层
整个IAP操作的时间取决于需要更新的程序大小及Flash存储器的性能。

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jkl21| | 2024-6-5 19:58 | 显示全部楼层
计算需要读写的数据总量,包括要编程的闪存页的数量以及每个页面的大小。

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maqianqu| | 2024-6-5 20:10 | 显示全部楼层
单片机的处理能力和时钟频率也会影响IAP的读写时间。高性能的单片机可以更快地处理数据,从而缩短读写时间。

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tifmill| | 2024-6-5 20:23 | 显示全部楼层
将单个编程/擦除周期的时间乘以所需的周期数,再加上可能的延迟和通信时间。

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linfelix| | 2024-6-5 20:35 | 显示全部楼层
在实际的读写操作之前,单片机可能需要执行一些准备步骤,如解锁Flash区域、设置写入地址等。操作完成后,还可能需要执行擦除验证、写入验证等步骤,这些都会占用额外的时间。

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xiaoyaodz| | 2024-6-5 20:48 | 显示全部楼层
不同的Flash存储器具有不同的写入速度和擦除速度。例如,NOR Flash的写入速度通常比NAND Flash快,但价格也可能更高。

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gygp| | 2024-6-5 21:14 | 显示全部楼层
IAP编程算法本身也会影响读写时间。例如,有些算法可能需要在写入新数据之前先擦除旧数据,这个过程可能需要额外的时间。

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biechedan| | 2024-6-7 16:10 | 显示全部楼层
每款单片机的Flash存储器都有其特定的最大读写速度,这通常由制造商在数据手册中给出。例如,某些STM32系列的单片机的Flash写入速度可能在几十到几百千字节每秒(kB/s)之间。

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olivem55arlowe| | 2024-6-8 22:10 | 显示全部楼层
写入的数据量越大,所需的时间通常也越长。此外,如果数据跨越了多个扇区或块,可能需要额外的擦除和编程周期。

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claretttt| | 2024-6-9 15:28 | 显示全部楼层
计算需要读写的数据总量,包括要编程的闪存页的数量以及每个页面的大小。

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loutin| | 2024-6-9 16:35 | 显示全部楼层
单片机IAP读写所花的时间计算涉及多个因素,包括Flash的擦除和写入时间、程序的大小以及数据传输的速度等。

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yangxiaor520| | 2024-6-9 16:50 | 显示全部楼层
这和芯片内部的flash工艺有关系

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phoenixwhite| | 2024-6-9 18:25 | 显示全部楼层
IAP的实现方式和代码优化程度也会对时间产生影响。例如,高效的代码和算法可以减少不必要的操作,从而减少IAP操作的整体时间。

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minzisc| | 2024-6-9 19:51 | 显示全部楼层
如果IAP是通过外部接口(如串口、SPI、I2C等)进行的,接口的速度也会影响读写时间。

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mikewalpole| | 2024-6-10 20:07 | 显示全部楼层
Flash编程通常包括擦除和写入两个步骤。擦除操作以扇区为单位进行,每个扇区的擦除时间是固定的。写入操作则依赖于数据量大小,通常Flash存储器会规定每字节写入所需的时间。

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maqianqu| | 2024-6-11 20:17 | 显示全部楼层
字编程可能比字节编程更快,因为它可以同时写入多个字节。

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claretttt| | 2024-6-12 10:22 | 显示全部楼层
许多存储器被组织成页,IAP操作通常是按页进行的。页大小越小,读写次数越多,但每次操作的时间可能更短。

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