16/32/64/128 Kb EEPROM：
- 内部采用一个2048/4096/8192/16384 x 8位块
的结构
- 字节或页写操作最多32字节
- 块内字节或连续读操作
- 自定时的写周期（最大值5 ms）
• 高速I
2C接口：
- 行业标准：1 MHz、400 kHz和100 kHz
- 输出斜率控制，用于消除地弹反射
- 施密特触发器输入，用于抑制噪声
• 可编程硬件从器件地址位：
- 可通过硬件地址寄存器（Hardware Address
Register，HAR）进行配置
• 通用数据保护选项：
- 通过写保护寄存器（Write Protection Register，
WPR）进行软件写保护
• 工作电压范围：1.6V至5.5V
• 低功耗CMOS技术：
- 写电流：5.5V时的最大值为1.0 mA
- 读电流：5.5V且1 MHz时的最大值为1.0 mA
- 待机电流：5.5V时为1 µA（工业级温度范围）
• 可靠性高：
- 超过一百万次擦/写
- 数据保存时间：200年以上
- ESD保护：4000V以上
• 符合RoHS标准
• 温度范围：
- 工业级（I）：-40°C至+85°C
- 扩展级（E）：-40°C至+125°C
• 通过汽车AEC-Q100标准认证
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