在电力电子行业的发展过程中，半导体技术起到了决定性作用。其中，功率半导体器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用，功率半导体器件直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。自从二十世纪五十年代真空管被固态器件代替以来，以硅(Si)材料为主的功率半导体器件就一直扮演着重要的角色。
20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注。
而从工艺来区分，SiC MOSFET 可分为平面结构与沟槽结构，两种工艺各有优劣。平面结构的优点 在于工艺简单，单元一致性较好，雪崩能量较高；缺点在于存在 JFET 效应，从而增加 通态电阻，寄生电容也较大。沟槽结构的优点在于没有 JFET 效应，寄生电容小，开关 速度快，开关损耗低；缺点在于工艺复杂，单元一致性较差。
海外大厂技术路线差异大，两种结构共存。意法半导体与 Wolfspeed 的产品目前为 平面结构，同时也在研究沟槽结构方案；英飞凌的产品专注于沟槽结构，采用的半包沟 槽结构性能较好；罗姆的产品自 2015 年从平面结构转型为沟槽结构，此后一直沿用； 安森美的产品虽然是平面结构，但在沟槽结构已积累 20 份有关专利。
目前平面与沟槽器件结构已经形成共存，但是平面型SiC MOSFET由于具备天然的可靠性优势，更容易被市场认可。当然，如果未来栅极介质层的可靠性问题得到彻底解决，更紧凑的沟槽型SiC MOSFET仍然具有巨大的发展潜力。
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