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芯源并联使用MOS存在一些问题

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楼主
LOVEEVER|  楼主 | 2024-5-21 12:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FET, 器件, 并联, os, MOS
在并联使用MOS存在一些问题，那我们要怎样做才能避免这些问题？
首先，器件的一致性一定要好。
在功率MOSFET多管并联时，器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏。
其次是功率。如果功率高于25%，MOS发热严重，性能会急剧下降，因此在设计时需要对MOS进行降额使用。

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沙发
jf101| | 2024-5-21 13:35 | 只看该作者
其实MOS管元气件有时候真是看自身的工艺设计

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板凳
szt1993| | 2024-5-21 17:29 | 只看该作者
并联使用MOS目前还没遇到问题，但后期有排查方向了

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地板
小夏天的大西瓜| | 2024-5-22 15:47 | 只看该作者
MOS发热严重一般是电流过大导致的

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