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英飞凌OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET

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Burnon_FAE_4|  楼主 | 2024-5-31 14:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
车规, TI, MOSFET, 英飞凌
英飞凌OptiMOS™ 7 技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能力。该系列产品将采用业界先进的300mm薄晶圆技术进行批产。英飞凌独特的晶圆表面金属化镀层处理，使得该系列产品不仅具有出色的电气性能，还具备良好的导热性能，帮助用户实现紧凑、高效能的设计方案。英飞凌通过不断的技术革新，配合坚固强壮的封装，助力电子设计工程师们轻松使用我们性能先进，高性价比，强壮耐用的MOSFET产品来实现、满足各类汽车电子控制器应用设计需求，比如电动助力转向系统、制动系统、电池断开开关、新区域架构、 DC-DC 以及BLDC 驱动器等。下表可以结合实际应用，作为合适封装产品的选型参考。

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