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为什么GD32F303代码运行在flash比sram更快

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聚沃科技|  楼主 | 2024-6-2 13:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
我们知道一般MCU的flash有等待周期,随主频提升需要插入flash读取的等待周期,以stm32f103为例,主频在72M时需要插入2个等待周期,故而代码效率无法达到最大时钟频率。
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所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。
但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些,这是为什么呢?
我们前面了解过GD32F303 flash的code area区是零等待的,【新提醒】GD32F系列MCU片上Flash中Code区和Data区使用解密 - - 21ic电子技术开**坛
零等待访问理论上就应该和在sram运行速度一样,那么为何会比sram更快一些呢?
通过查阅GD32F303用户手册系统架构章节我们可以知道,访问flash时可以直接通过ibus和sbus专用总线进行访问,而访问sram时通过AHB主机接口通过System BUS进行访问,AHB主机接口下更还有挂载有其他主机和外设总线,共享总线带宽。
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所以GD32F303的代码运行在code area零等待区时,效率会比常规加载sram的方式更高。
本教程由GD32 MCU方案商聚沃科技原创发布,了解更多GD32 MCU教程,关注聚沃科技官网,GD32MCU技术交流群:859440462






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caigang13| | 2024-6-2 17:48 | 显示全部楼层
主要还是和总线结构设计有关系

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xhackerustc| | 2024-6-2 21:07 | 显示全部楼层
我在其它mcu上测coremark也有类似结论:从sram启动的coremark得分反而没有flash启动的得分高

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