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MCU三巨头三种选择

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IFXianmingHuang|  楼主 | 2024-6-3 10:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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沙发
IFXOcean| | 2024-7-15 10:58 | 只看该作者
闪存的制程难以扩展到40nm以下,MCU制程在已经向更小制程迈进了,各个MCU厂家在选择列新存储器,集成到MCU中。

英飞凌 - 选择了阻变存储器RRAM(ReRAM),全称为电阻式随机存取存储器(Resistive Random Access Memory)。RRAM通过改变电介质的电阻来工作,在电介质上施加恰到好处的电压产生允许电流流动的细小导电丝,并能在高阻态和低阻态之间实现可逆转换。RRAM具有低功耗和成本低的优势。RRAM最大的缺点就是器件级变化性。


意法半导体  - 选择了相变存储器 (PCM:Phase-change RAM),也可以为PCRAM。PCRAM通过改变温度,让相变材料在低电阻结晶(导电)状态与高电阻非结晶(非导电)状态间转换。PCRAM具有低延时、寿命长,功耗低,抗辐照特性好等特点。PCM 是利用温度实现相变材料的阻值变化,所以对温度十分敏感,无法用在宽温场景。


瑞萨 - 选择了磁性存储器 (MRAM:Magnetic RAM),是一种基于隧穿磁阻效应的技术。MRAM读写次数无限,写入速度快、功耗低,和逻辑芯片整合度高等技术特点。MRAM临界电流密度和功耗仍需进一步降低。目前MRAM的存储单元尺寸仍较大且不支持堆叠,工艺较为复杂,大规模制造难以保证均一性。

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