STM32H750启动和内存优化（分散加载修改）

1万 · 2024-6-14 15:57

前些日子有个朋友一直给我推荐STM32H750这款芯片，说它的性价比，说它多么多么好。于是乎，这两天试了试，嚯，真香！我们先看看基本配置

这里简单总结下，cortex-m7内核，128k片内flash ，1M RAM，淘宝价格十几块，瞬间感觉1052没那么香了（价格二十多）。关键这个价格几乎跟imxrt1011差不多了，而1011只有128K RAM，无片内flash，导致做不了很复杂的项目。除此之外h750还能拓展出32bit sdram这点相比1052的16bit性能也进一步加强。好了，本章不是介绍h750性能多强的，主要介绍，上手h750后，ram 和 rom如何高效利用起来。

内存分布
先看看系统的ram分布结构

结合上述矩阵图，结合其速度和位宽，我们可以给这些RAM做一个优先级划分 TCM > AXI SDRAM > SRAM 1 2 3 > SRAM 4，当然像以太网和 USB 的缓冲是要求用于SRAM3中的，这类特殊外设，需要特别注意。另外我们应该尽量让代码在TCM中运行，这时候我们就需要修改其分散加载文件（也叫链接脚本）。分散加载文件，主要目的就是把想要的数据或者代码运行到指定区域，进而让系统更高效的运行。

修改启动文件

这里笔者将启动文件startup_stm32h750xx.s分为两段，RES_HANDLER 包含 Reset_Handler SystemInit 和 __main 函数相关，OTHER_HANDLER 包含其他中断函数。将这两个段，一个就地执行，一个拷贝到tcm，除此之外链接脚本中，VECTOR_RAM 用于存放中断向量，并在main开始阶段执行拷贝

//中断向量拷贝函数 ROM 拷贝到 RAM, 更新 SCB->VTOR
void xBSP_VectorInit(void)
{
extern uint32_t Image$$VECTOR_ROM$$Base[];
extern uint32_t Image$$VECTOR_RAM$$Base[];

void *pS = (void *)Image$$VECTOR_ROM$$Base;
void *pT = (void *)Image$$VECTOR_RAM$$Base;

uint32_t pRamVectorAddr = (uint32_t)Image$$VECTOR_RAM$$Base;

memcpy(pT,pS,0x298);
__asm("CPSID I");
SCB->VTOR = pRamVectorAddr;
__asm("CPSIE i");
}

int main(void)
{
xBSP_VectorInit();
......
}

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修改后的链接脚本
如下链接脚本，代码是下载到内部flash中的，如果下载到外部QSPI flash，那直接修改成0x9000_0000即可

LR_IROM1 0x08000000 0x00020000
{ ; load region size_region
VECTOR_ROM 0x08000000 0x00020000
{  ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
startup_stm32h750xx.o (RES_HANDLER)
system_stm32h7xx.o (+RO)
}

VECTOR_RAM 0x00000000 0x00000298
{

}

RW_m_text 0x00000298 0x0000fd68
{  ; itcm 64k
startup_stm32h750xx.o (OTHER_HANDLER)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
}

RW_DTCM 0x20000000 0x00020000
{  ; dtcm 128k
.ANY (+RW +ZI)
}

RW_SRAM 0x24000000 0x00080000
{ ;512k axi sram

}
}

修改后的map映射

补充：下载外部flash需要对应的下载算法，下载算法基于硬件设计(选择的IO)和flash品牌不同而有差异，所以在使用外部flash时候，需要制作其下载算法，下载算法如何制作，可以看看如下链接：

STM32H750片外Flash启动(W25Q64JVSIQ) - STM32H7 - 硬汉嵌入式论坛 - Powered by Discuz! (armbbs.cn)
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