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NAND flash测试-雷龙发展

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芯片芯语|  楼主 | 2024-6-14 16:29 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  文章目录
  一、简介
  二、速度测试
  最近比较忙,也一直没空发什么文章,这算是新年第一篇吧,正好最近收到了一个雷龙的flash芯片,先拿来玩一下吧。
  有兴趣的小伙伴可以去雷龙官网找小姐姐领取一个免费试用。

  一、简介
  大概样子就是上面这样,使用LGA-8封装,实际上驱动也是通用SD卡的驱动,相比与SD卡可以直接贴片到嵌入式设备中,并且体积更小,数据存储和SD卡存储一样。
  我使用的型号是CSNP1GCR01-AOW,
  不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash(贴片式TF卡),
  尺寸小巧,简单易用,兼容性强,稳定可靠,
  固件可定制,LGA-8封装,标准SDIO接口,
  兼容SPI/SD接口,兼容各大MCU平台,
  可替代普通TF卡/SD卡,
  尺寸6x8mm毫米,
  内置SLC晶圆擦写寿命10万次,
  通过1万次随机掉电测试耐高低温,
  支持工业级温度-40°~+85°,
  机贴手贴都非常方便,
  速度级别Class10(读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S)
  标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码,省去了驱动代码编程环节。
  支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND
  ,提供STM32参考例程及原厂技术支持,
  主流容量:128MB/512MB/4GB/8GB,
  比TF卡稳定,比eMMC便宜,
  样品免费试用。
  实际应用场景
  新一代SD NAND主要应用领域
  •5G
  •机器人
  •智能音箱
  •智能面板(HMI)
  •移动支付
  •智能眼镜(AR)
  •智能家居
  •医疗设备
  •轨道交通
  •人脸识别
  •3D打印机
  二、速度测试
  手里正好还有一张内存卡,那么就做下对比测试:
  先理解下下面这四种测试的含义:
  SEQ1M|Q8T1表示顺序读写,位深1024K,1线程8队列的测试速度
  SEQ1M|Q1T1表示顺序读写,位深1024K,1线程1队列测试速度
  RND4K|Q32T16表示随机读写,位深10244K,16线程32队列的测试速度
  RND4K|Q1T1表示随机读写,位深10244K,一线程一队列的测试速度
  那么由于CSNP1GCR01-AOW是512M的,那么就统一使用256M的随机读写来测试

  CSNP1GCR01-AOW读写速度:
------------------------------------------------------------------------------
CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo
                                  Crystal Dew World: https://crystalmark.info/
------------------------------------------------------------------------------
* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]
* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]
  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):    18.242 MB/s [     17.4 IOPS] <437121.30 us>
  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):    18.409 MB/s [     17.6 IOPS] < 56695.70 us>
  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     4.807 MB/s [   1173.6 IOPS] < 27159.12 us>
  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     4.215 MB/s [   1029.1 IOPS] <   968.89 us>

[Write]
  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):     7.326 MB/s [      7.0 IOPS] <1026141.24 us>
  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):     7.549 MB/s [      7.2 IOPS] <138263.48 us>
  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     2.453 MB/s [    598.9 IOPS] < 52662.34 us>
  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     2.029 MB/s [    495.4 IOPS] <  1987.79 us>

Profile: Default
   Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/481MiB)]
   Mode: [Admin]
   Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec
   Date: 2024/01/15 11:35:30
     OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)


  内存卡读写速度:
------------------------------------------------------------------------------
CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo
                                  Crystal Dew World: https://crystalmark.info/
------------------------------------------------------------------------------
* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]
* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]
  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):    17.579 MB/s [     16.8 IOPS] <454375.89 us>
  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):    18.236 MB/s [     17.4 IOPS] < 57188.36 us>
  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     5.105 MB/s [   1246.3 IOPS] < 25574.24 us>
  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     4.622 MB/s [   1128.4 IOPS] <   884.01 us>

[Write]
  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):     1.676 MB/s [      1.6 IOPS] <3669329.62 us>
  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):     7.962 MB/s [      7.6 IOPS] <130440.09 us>
  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     0.018 MB/s [      4.4 IOPS] <2106948.05 us>
  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     0.015 MB/s [      3.7 IOPS] <251984.23 us>

Profile: Default
   Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/953MiB)]
   Mode: [Admin]
   Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec
   Date: 2024/01/15 11:53:09
     OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

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