每个I/O 拉电流50mA 灌电流100mA 总电流800mA 一、 和地线方面的处理 1、模拟电源和数字电源要分别供电,可以使用两个稳压源分别供电,但是两个电源之间的电压差必须满足数据手册中的规定(<0.5V,小于0.3V是比较理想的)。实际应用中模拟电源和数字电源可以来自同一个稳压器的输出,只在AV+与VDD之间接简单的滤波器也是很有效的。这里要加一个小电感,也可以用低阻值的电阻(通常2欧姆,电阻要有足够的寄生电感。) 这种方式既能降低成本又能减少体积。(关于这一点可以参考 各种目标板的原理图的电源部分)。 2、在地线方面,模拟地和数字地要分开布线,然后在一点通过磁珠连接,在实际应用中也可以使用0欧姆绕线电阻连接的。该绕线电阻要有寄生电感,另外,在布线时一定要注意地线应该尽可能的粗,或者采用大面积覆地,电源线也要尽量粗,并且在 所有电源和地之间以及每个外围集成电路的VDD和GND间加去耦合电容。 3、如果所使用的器件上有模拟电源,模拟地,数字电源和数字地,所有这些引脚不可以悬空,必须连接。 二、在严酷环境下使用C8051F器件时,在 时应注意那些问题? 在严酷条件下使用C8051F器件时,我们提供给您的一般性建议如下: 1) 在器件的每个电源引脚处放置0.1μF和1.0μF的去耦电容,而且要尽可能地靠近芯片。这一点适用于板上所有的IC(集成电路)。* 2) 尽可能将板上不使用的空间接地,即所谓的大面积覆铜。 3) 在靠近器件外部振荡器引脚处放置外部晶体和其他振荡器元件(如果可行的话)。 4) 使用最短的连线以避免产生“天线”,尤其在下列引脚处:/RST,MONEN,XTAL1,XTAL2,TMS,TCK,TDI和TDO。 5) 应使用一个1k - 4.7k 的电阻将/RST拉为高电平。且应该在/RST走线和地之间设一个0.1uF的去耦电容* 6) 应将MONEN直接接至片上的VDD (首选)或接地。* 7) 将TMS、TCK、TDI 和接固定电平。* 8) 连接至系统电缆或其他电路板上的信号应在PCB的连接点处适当地滤波。 * 避免使这些连接在板上形成大的回路。 三、对JTAG引脚的处理 在 时,JTAG口的TCK要加3.3V上拉。 值取4.7K。另外,要考虑到在成品阶段(此时已不需要通过JTAG编程),将TCK.TMS.TDI引脚接地,这样更能提高系统的抗干扰能力,对于提高系统的稳定性是非常主要的。 四、对未用到的IO口/模拟输入口的处理 对未用到的IO口建议:设置为漏极开路;并加固定电平;或设置为推挽方式;未用的模拟输入也要接地(接模拟地)。 五、在电路设计时的IO口/模拟输入口的保护 1、在可能对IO口有瞬态冲击的情况下,一定要对IO口进行保护,如可能会有瞬间大电流,就要在IO口上串接限流电阻,建议取值100欧姆。如有瞬态大电压,就要在IO口上接TVS或快速反应二极管。 2、对在产品中使用的模拟输入引脚的输入电平,要在器件的允许范围值内(具体的参数见数据手册)。一般的ADC的输入电压范围是0V~VREF。同时不可以超过器件的极限参数(见数据手册),否则可能造成永久性损坏。具体的做法可以加两个肖特基二极管到电源和地。 3. IO口控制的东西一定要加锁存器,否则复位后,IO口会恢复高电平 六、编写软件方面的 1、如使用C51编程,在使用指针变量(对FLASH进行写操作)按如下方式定义: unsigned char xdata *idata(或data) pwrite; 这样做的目的是确保写FLASH的指针的地址被分配在<data>或<idata>空间。 2、不用的代码空间全部清为“0”,这可以在程序跑飞后再重新运行。在跳转指令前加两到三个NOP指令。这样也可以在程序跑飞后重新运行。
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