博主 主要纪录自己常用的几种模式，以及自己觉得需要注意的点，具体的请看数据手册，且大部分都是从数据手册中截取。
（1）烧写模式：VPRO管脚外接EEPROM烧写电压V PRO ，且延时10mS，SH367309进入烧写模式，关闭充放电MOSFET及内置保护功能模块。此时其他设备可通过TWI接口读/写内置EEPROM，且内置EEPROM仅在烧写模式下方可进行写操作。
（2）仓运模式：SHIP管脚外接低电平V L-SHIP ，SH367309进入仓运模式：关闭充放电MOSFET，同时关闭所有功能模块；连接充电器无任何动作。SHIP管脚外接高电平V H-SHIP ，才可退出仓运模式，产生硬件复位
（3）硬件复位方式包括上电复位、LVR复位、退出仓运模式以及退出PowerDown状态。软件复位SH367309工作在采集模式，当TWI模块接收到MCU发送的软件复位指令后，发生软件复位，进入WarmUp状态。（注释： WarmUp 结束后， 8 分钟内不检测断线和二次过充电保护状态。）
（4）SH367309的CTL管脚可控制充放电MOSFET
（5）MODE管脚为SH367309 采集模式和保护模式选择端。SH367309处于采集模式下，ALARM管脚为对外通讯管脚；处于保护模式下，ALARM管脚为高阻态。
（6）STA 检测定义为系统内部检测电路（ TWI 通讯的起始信号），主要用于采集模式低功耗唤醒使用。其中，充放电电流检测电压阈值为 VCD ，如果超过 VCD ，且维持充放电电流检测延时 tCD 以上，则置位 WAKE_** ，产生 ALARM 中断（一个下降沿，低电平时间1ms）。
（7）EEPROM的Data Block（0x00~0x19)，RAM的ADC Data、System Area、Configuration Area（0x40~0x72）
（8）TWI通讯中，SH367309作为从机，其固定地址是 0x34（ | ）最低位0写1读
总结：
写eeprom寄存器内容：
手册规定写eeprom的内容必须在烧写模式下，所以先打开烧写模式
写eeprom寄存器的数据
关闭烧写模式
SH367309 接收到以下指令协议后，START SLA+W Ack 0xEA STOP，会执行软件复位操作(如果EEPROM寄存器被改写，需执行软件复位操作才有效)。
读eeprom和ram寄存器的内容:
将alarm引脚设置为外部中断，下降沿触发（alarm产生的是一个下降沿中断）
如果产生了alarm中断，即TWI的起始信号，那么可以开始进行读eeprom和ram寄存器
举例说明
rcu_periph_clock_enable(RCU_AF);
gpio_init(GPIOA, GPIO_MODE_IPU, GPIO_OSPEED_50MHZ, GPIO_PIN_0); //ALARM检测口配置为外部中断
nvic_irq_enable(EXTI0_IRQn, 2U, 0U); //使能外部中断0线程
gpio_exti_source_select(GPIO_PORT_SOURCE_GPIOA, GPIO_PIN_SOURCE_0);//配置外部中断对应端口
exti_init(EXTI_0, EXTI_INTERRUPT, EXTI_TRIG_FALLING); //外部中断0，下降沿触发
exti_interrupt_flag_clear(EXTI_0); //清外部中断0标志
void EXTI0_IRQHandler(void)
{
if(RESET != exti_interrupt_flag_get(EXTI_0))
{
exti_interrupt_flag_clear(EXTI_0);
FLAG=1;//产生了ALARM下降沿，即TWI可以开始通信
}
}
配置ALARM引脚为外部中断，如果产生了ALARM外部中断，即可以开始通信
if(FLAG==1)
{
FLAG=0;
//读数据
}
写ram寄存器的内容：
将alarm引脚设置为外部中断，下降沿触发（alarm产生的是一个下降沿中断）
如果产生了alarm中断，即TWI的起始信号，那么可以开始进行写ram寄存器
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