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[逆变器]

加直流高压时MOS的VDS波形异常

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SiC全桥逆变拓扑加LC滤波,设置固定调制比开环测试,60V直流电压下,正常输出正弦波,加压到200V过程中,在60到200V的上升过程中输出正常,到达200V时输出畸变严重,查看MOS的VDS波形如下图;请教各位大神,可能是什么原因造成的?

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