新唐科技推出 M2L31 微控制器：提升能效与性能
Arm Cortex-M23: 极低功耗，优异性能
新闻要點
- 新唐科技推出 M2L31 微控制器
- 低功耗 MCU
- 采用 Arm Cortex-M23
- 正常运行电流为 60 μA/MHz
- 深度掉电模式下功耗仅0.5 μA
- 新型高性能 ReRAM (电阻式内存)
- 支持 USB Type-C PD 3.0
- 内建 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM
- 多种封装选项
在能效至关重要的时代，新唐科技宣布推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。为满足对高效能嵌入式计算需求日益增长的需求，M2L31 系列以其低功耗和高效能脱颖而出，运行速度可达 72MHz，能提供卓越的处理能力。
新唐 NuMicro M2L31 微控制器，采用 Arm Cortex-M23 核心，并配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（电阻式内存）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款为可持续性和优异能效设计的低功耗产品。M2L31 系列支持两个 CAN FD 和两个 USB Type-C PD 3.0 接口，并优先考虑稳健的安全功能来保护宝贵的数据数据。
低功耗高性能应用的微控制器
NuMicro M2L31 系列对于电池管理、工业自动化和消费性接口设备等需高能效的应用而言，是一个突破性产品。卓越的低功耗能力显著提升电池寿命，减少频繁更换电池的需求。
M2L31 提供三种低功耗模式：正常掉电、待机掉电和深度掉电。这些模式根据应用需求量身定制，在降低能耗的同时，并确保不影响功能的正常运行。微控制器的典型运行电流在正常模式下仅为 60 μA/MHz，而在深度掉电模式下更是降至 0.5 μA。其在无需 CPU 干预的情况下，通过低功耗串行接口独立处理外围数据采集和数据处理的能力，为高效能自动化设立了新的标准。
芯片内建 ReRAM 优于传统闪存
M2L31 系列超越了传统的 MCU，整合了基于与台积电合作开发的制程技术的 ReRAM。这种新型非挥发性内存透过避免传统闪存中耗时的「擦除后写入」过程，加速了写入操作，同时提供了更低的能耗和更好的耐用性。
过去ReRAM 主要用于 DRAM 或 NAND 闪存市场。随着新唐科技下一代 M2L31 微控制器的推出，工业和消费性领域的开发人员也能享受到 ReRAM 的诸多优势。
广泛的周边接口与程序开发支持
为满足多样的设计需求并降低尺寸和成本，M2L31 系列支持广泛的 I/O 和外围设备，包括 UART、I²C、SPI/ I²S 和多个 USB 选项，并支持多达 16 通道的电容触控。多种芯片封装选项确保了与其他新唐产品的兼容性，满足大多数应用需求。
新唐科技致力于为开发人员提供强大的生态系统，包括 M2L31 NuMaker 开发板和 Nu-Link 除错器。M2L31 系列兼容多种 IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM 和 NuEclipse IDE，使用 GNU GCC 编译程序。还支持多种程序更新方法，如 ISP 和 IAP，简化系统升级和软件更新，为开发人员和使用者提供了最大的灵活性和便利性。
关于M2L31 系列的更多信息，请参见：https://www.nuvoton.com/products ... 3-mcus/m2l31-series
关于M2L31 系列的简短介绍影片请参见：https://www.bilibili.com/video/B ... id_from=333.999.0.0
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