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01.SGT MOSFET为何而生
为了节约能源，降低功率半导体器件的自身功耗越来越必要。对金属氧化层场效应管 (MOSFET) 来说，功耗降低可以通过降低漏极与源极间的导通电阻(Rdson)及栅极电荷(Qg)来实现。为了实现以上两个目标，解决传统功率MOSFET不能满足的性能要求，基于Split Gate Trench (SGT)技术的功率MOS管应运而生。
02.SGT MOSFET VS 传统MOSFET 传统MOSFET，在器件反偏承压时，耗尽层从P Body/N EPI 结开始建立。为了让耗尽层能承受额定反偏电压，EPI的掺杂浓度相对较低，这意味着较高的导通电阻。 当SGT MOS管反向承压时，在Shield Poly/Shield OX帮助下，更高的EPI掺杂浓度下也能承受额定反偏电压。 更高的EPI掺杂浓度意味着更低的导通电阻。一般情况下，采用SGT技术的MOSFET比传统MOSFET的电阻会低50%甚至更多。 同时，SGT MOSFET也能利用底部栅极与氧化层做到减少源漏之间的电荷，从而提高功率器件的开关速度。
因此SGT MOSFET具有更好的品质系数 （FoM=Rdson x Qg），意味着应用中更低的功耗。
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