为什么GD32F303代码运行在flash比sram更快？

发表于 2024-7-21 09:42

本帖最后由聚沃科技于 2024-7-21 09:47 编辑

我们知道一般MCU的flash有等待周期，随主频提升需要插入flash读取的等待周期，以stm32f103为例，主频在72M时需要插入2个等待周期，故而代码效率无法达到最大时钟频率。

所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。

但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些，这是为什么呢？

我们前面了解过GD32F303 flash的code area区是零等待的，

GD32F系列MCU片上Flash中Code区和Data区使用解密

零等待访问理论上就应该和在sram运行速度一样，那么为何会比sram更快一些呢？

通过查阅GD32F303用户手册系统架构章节我们可以知道，访问flash时可以直接通过ibus和sbus专用总线进行访问，而访问sram时通过AHB主机接口通过System BUS进行访问，AHB主机接口下更还有挂载有其他主机和外设总线，共享总线带宽。

所以GD32F303的代码运行在code area零等待区时，效率会比常规加载sram的方式更高。

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发表于 2024-7-22 16:26

因为这个，对的，这个东西挺复杂的，看一下就还是没动，所以这个的原因就是ram慢的原因吧

发表于 2024-7-31 21:45

ram更快的，是不是程序问题

发表于 2024-7-31 22:09

ram速度很快的吧

发表于 2024-7-31 23:19

这个图片东西挺多其实挺复杂的

发表于 2024-8-1 11:51

任何单片机在flash中都比ram快吧

发表于 2024-8-10 11:00

tpgf 发表于 2024-8-1 11:51
任何单片机在flash中都比ram快吧

不对应该说传统上应该ram比flash要快

发表于 2024-8-11 10:05

好像并不是因为总线的变化引起来的

发表于 2024-8-11 17:11

这个只是在这种情况下ram的速度会比flash速度快是吗

发表于 2024-8-12 08:18

这个特点仅仅是针对这个系列的芯片才有的吗

发表于 2024-8-12 13:41

代码运行在flash中是一种理想状态吗