APM32程序在SRAM中运行，进行flash擦写测试。

只看该作者 · 2024-8-30 16:33

本帖最后由 Alden 于 2024-8-30 16:33 编辑

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在测试芯片功能的时候会需要测试MCU的flash读写，但芯片的程序是在flash中运行，不方便对整个flash进行擦写。想到以前又试过做了个让程序运行在RAM中的工程，添加了flash擦写可以顺利对flash任意区域进行擦写测试。
将代码放在RAM中运行需要做这些修改。

主要就是将工程的目标地址都改在RAM的前面一部分区域，后面一部分还是正常的RAM使用，更改ini文件，让仿真时能够正确进入RAM。
main中进行flash擦写，擦写的区域可以从0x800000开始。

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#if defined (APM32F10X_HD)

#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x800)

#else

#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400)

#endif



#define BANK1_WRITE_START_ADDR  ((uint32_t)0x08000000)

#define BANK1_WRITE_END_ADDR    ((uint32_t)0x0800C000)



int main(void)

{

    APM_EVAL_LEDInit(LED1);



    SysTick_Config(SystemCoreClock / 1000);

    

                        

                FLASH_UnlockBank1();

    

    NbrOfPage = (BANK1_WRITE_END_ADDR - BANK1_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

    FLASH_ClearFlag((FLASH_FLAG_T)(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR));

    for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)

    {

        FLASHStatus = FLASH_ErasePage(BANK1_WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));

    } 



    Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;

    while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))

    {

        FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);

        Address = Address + 4;

    } 



    FLASH_LockBank1();

    

    Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;



    while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR))

    {

        if((*(__IO uint32_t*) Address) != Data)

        {

            MemoryProgramStatus = FAILED;

        }

        Address += 4;

    }    

    while(1)

    {

        APM_EVAL_LEDToggle(LED1);

        

        Delay();

    }

}

配置好就可以烧录后在线仿真，可以看到汇编指针在RAM中正常运行。

APM32F10x_SDK_XB.zip (3.49 MB)

只看该作者 · 2024-9-2 18:55

曾经以为与ST完美匹配。

只看该作者 · 2024-9-2 18:56

后来用407替代ST407，MCU运行速度比其运行差多了。批量退货。后来遇到时钟不起振，对其现在怀疑多了去了