复位后，用户可自行设置所需的自举模式配置
退出待机模式后，还可以对启动模式配置进行重新采样。该启动延迟结束后，CPU 将从地址 0x0000 0000获取栈顶值，然后从始于 0x0000 0004 的自举存储器开始执行代码。自举区域选择有三种:主存储区、系统存储区和 SRAM，详细描述如下:
1、从主存储区自举
主存储区在自举存储器空间(0x0000 0000)中有别名，但也可从它原来的存储器空间(0x0800 0000) 访问。
换句话说:程序可从地址 0x0000 0000 或0x0800 0000 开始访问。
2从系统存储器自举
系统存储区 (4 Kbytes 独立LDROM)作为一个固化的BootLoader 空间，其中的程序是出厂前烧录好用户不可读写。
嵌入式自举程序:嵌入式自举程序位于系统存储器中，在生产阶段编程。固化的ISP 程序，该指令公开，可以利用该程序通过 UART 重新编程 Flash。
3、从嵌入式SRAM 自举
SRAM 在自举存储器空间(0x0000 0000) 中有别名，但也可从它原来的存储器空间(0x2000 0000) 访问。
4、自举模式设置
通过寄存器控制位 BTLD1:0]配合软件复位 RST 控制位可实现三种自举模式，BTLD 和 RST 受IAP KEY保护:
①设置 BTLD[1:0]= 00，芯片软件复位后从主存储区(APROM)启动
②设置 BTLD[1:01= 01，芯片软件复位后从系统存储区 (LDROM) 启动
③设置 BTLD[1:0]= 10，芯片软件复位后从嵌入式 SRAM 启动
通过 customer option 项 OP BL[1:01实现芯片上电初始启动区域选择:
① 设置 OP BL[1:0]= 00，芯片复位后从主存储区(APROM) 启动
②设置 OP BL[1:0]= 01，芯片复位后从系统存储区 (LDROM)启动
③设置 OP BL[1:01= 10，芯片复位后从嵌入式 SRAM 启动
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