HC32F005C6PA内部FLASH读取的问题

发表于 2024-8-6 17:36

本帖最后由 wuzhihuiqqyy 于 2024-8-6 17:37 编辑

见附件图片

发表于 2024-8-8 08:08

像是没有写成功，你解锁flash写保护没。

发表于 2024-8-8 13:41

chenqianqian 发表于 2024-8-8 08:08
像是没有写成功，你解锁flash写保护没。

晚上我看下

发表于 2025-5-29 12:12

写之前是否有先擦除

发表于 2025-6-11 16:46

未擦除目标地址数据吧，写入数据之前，必须擦除对应地址的数据才能正常写入。若未擦除直接覆盖写入，会导致写入失败，读取时出现不一致的情况。

发表于 2025-6-11 17:52

写入地址非对齐，遵循32位（4字节）地址对齐原则，写入地址必须是4的倍数。若写入地址为非对齐，会出现编程对齐错误，导致写入和读取不一致。

发表于 2025-6-11 19:01

操作期间总线被占用，在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取Flash数据会出现失败，导致读取的数据与写入的不一致。

发表于 2025-6-11 20:05

电压不稳定，处于外界干扰较大的环境，供电可能暂降，对Flash进行操作时，若低于特定电压会出现编程失败，从而导致写入和读取不一致。

发表于 2025-6-11 21:35

中断影响，在写Flash的时候，如果有中断触发，很可能导致写失败，进而出现写入和读取不一致的问题。

发表于 2025-6-11 22:15

在进行写入操作之前，先擦除对应地址的数据。通常擦除数据是以页、扇区为单位，写入某个地址数据前，需先读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，最后写入新数据。

发表于 2025-6-12 08:40

通过“取余”判断地址，确保写入地址遵循32位（4字节）地址对齐原则，只能是4的倍数。

发表于 2025-6-12 10:13

通过标志判断写/擦除操作是否完成，在操作完成后再进行读取操作，避免在总线阻塞状态下读取数据。

发表于 2025-6-12 11:20

完善硬件电路，确保在操作Flash时电源稳定，避免在写入过程中断电或电压暂降。

发表于 2025-6-12 13:09

在写Flash的时候，关闭中断，写完再打开中断，防止中断触发导致写失败。

[技术问答] HC32F005C6PA内部FLASH读取的问题