新唐科技推出工业级 48V 直驱马达专用芯片的技术规格与性能参数

发表于 2024-8-20 18:40

新唐科技推出工业级 48V 直驱马达专用芯片支持直接输入48V电压，并且具有100V的耐压能力。请问这一耐压能力是如何在如此小的QFN封装中实现的？采用了哪些先进的半导体工艺和技术？

发表于 2025-1-20 15:09

新唐科技推出的工业级 48V 直驱马达专用芯片能够在 QFN 封装中实现 100V 耐压能力，主要得益于先进的半导体工艺和技术

发表于 2025-1-20 16:12

BCD 工艺是一种将双极型晶体管（Bipolar）、CMOS 和 DMOS（双扩散 MOS）集成在同一芯片上的技术。DMOS 器件具有高耐压特性，能够在高压环境下稳定工作。

发表于 2025-1-20 17:21

通过优化 DMOS 结构，芯片可以在小封装中实现高耐压能力。

发表于 2025-1-20 18:24

LDMOS 是一种专门用于高压应用的 MOS 器件，具有高耐压、低导通电阻的特点。通过优化 LDMOS 的漂移区设计，芯片可以在小尺寸下实现 100V 的耐压能力

发表于 2025-1-20 19:28

QFN 封装具有体积小、散热性能好、电气性能优异的特点。通过优化封装内部的引线框架和焊盘设计，芯片能够承受更高的电压和电流。

发表于 2025-1-20 20:06

在 QFN 封装中，采用铜柱凸点技术可以提高芯片的电气连接性能和散热能力。铜柱凸点能够有效降低封装内部的电阻和电感，从而提高耐压能力。

发表于 2025-1-20 22:58

QFN 封装底部通常有一个裸露的焊盘，可以直接焊接在 PCB 上，提高散热效率。通过优化芯片内部的布局和热传导路径，热量可以快速散发，避免局部过热。

发表于 2025-1-21 09:23

在设计阶段，通过热仿真工具对芯片的热分布行分析和优化，确保在高电压、高电流工作条件下，芯片温度不会超过安全范围

发表于 2025-1-21 12:10

芯片内部集成了过压保护（OVP）、过流保护（OCP）和过热保护（OTP）电路，确保在异常情况下芯片能够安全关闭。通过优化保护电路的响应速度和阈值，芯片能够在高压环境下稳定工作。

发表于 2025-1-21 12:50

通过优化芯片内部的布线设计和器件布局，降低寄生电容和电感，减少高压环境下的电气应力。

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