[技术问答] 新唐科技推出工业级 48V 直驱马达专用芯片的技术规格与性能参数

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 楼主| 两只袜子 发表于 2024-8-20 18:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
新唐科技推出工业级 48V 直驱马达专用芯片支持直接输入48V电压,并且具有100V的耐压能力。请问这一耐压能力是如何在如此小的QFN封装中实现的?采用了哪些先进的半导体工艺和技术?
Amonologue独白 发表于 2025-1-20 15:09 | 显示全部楼层
新唐科技推出的工业级 48V 直驱马达专用芯片 能够在 QFN 封装 中实现 100V 耐压能力,主要得益于先进的半导体工艺和技术
Belle1257 发表于 2025-1-20 16:12 | 显示全部楼层
BCD 工艺是一种将双极型晶体管(Bipolar)、CMOS 和 DMOS(双扩散 MOS)集成在同一芯片上的技术。DMOS 器件具有高耐压特性,能够在高压环境下稳定工作。
HeimdallHoney 发表于 2025-1-20 17:21 | 显示全部楼层
通过优化 DMOS 结构,芯片可以在小封装中实现高耐压能力。
MahalKita 发表于 2025-1-20 18:24 | 显示全部楼层
LDMOS 是一种专门用于高压应用的 MOS 器件,具有高耐压、低导通电阻的特点。通过优化 LDMOS 的漂移区设计,芯片可以在小尺寸下实现 100V 的耐压能力
EuphoriaV 发表于 2025-1-20 19:28 | 显示全部楼层
QFN 封装具有体积小、散热性能好、电气性能优异的特点。通过优化封装内部的引线框架和焊盘设计,芯片能够承受更高的电压和电流。
Charlotte夏 发表于 2025-1-20 20:06 | 显示全部楼层
在 QFN 封装中,采用铜柱凸点技术可以提高芯片的电气连接性能和散热能力。铜柱凸点能够有效降低封装内部的电阻和电感,从而提高耐压能力。
StarStory 发表于 2025-1-20 22:58 | 显示全部楼层
QFN 封装底部通常有一个裸露的焊盘,可以直接焊接在 PCB 上,提高散热效率。通过优化芯片内部的布局和热传导路径,热量可以快速散发,避免局部过热。
Annie556 发表于 2025-1-21 09:23 | 显示全部楼层
在设计阶段,通过热仿真工具对芯片的热分布行分析和优化,确保在高电压、高电流工作条件下,芯片温度不会超过安全范围
B1lanche 发表于 2025-1-21 12:10 | 显示全部楼层
芯片内部集成了过压保护(OVP)、过流保护(OCP)和过热保护(OTP)电路,确保在异常情况下芯片能够安全关闭。通过优化保护电路的响应速度和阈值,芯片能够在高压环境下稳定工作。
Candic12e 发表于 2025-1-21 12:50 | 显示全部楼层
通过优化芯片内部的布线设计和器件布局,降低寄生电容和电感,减少高压环境下的电气应力。
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