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双管正激MOSFET切换负载损坏

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楼主
王栋春|  楼主 | 2024-8-21 22:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
切换, os, MOSFET, MOS, FET
最近在做一款输入1500V、300W的双管正激电源，拓扑图如下。选用的MOSFET是1700V的，在输入电压为1500V，负载在额定60%时，电源运行稳定。上管的DS波形如下。当负载从额定60%切换到100%时，上管MOSFET就会被击穿。电流也很小、电压也有原边的二极管钳位，就不知为啥会被击穿。
拓扑线路图：

上管DS波形：

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badlion888 2024-10-12 13:18 回复TA
楼主用的什么电源芯片？ 
王栋春 2024-10-10 16:15 回复TA
@dirtwillfly ：驱动电路非常成熟，感觉就是IGBT模块过压击穿。 
dirtwillfly 2024-10-10 15:57 回复TA
@王栋春 ：mos或IGBT预留电压余量是一方面，经常炸还有可能是驱动电路问题 
王栋春 2024-10-10 08:59 回复TA
@dirtwillfly ：收到，，我们这边矿井AC660V逆变焊机，采用1200VIGBT模块经常炸。 
dirtwillfly 2024-10-10 08:36 回复TA
@王栋春 ：我做电机控制的时候一般都留不少于30%的余量。其他应用场合不是太熟悉 
王栋春 2024-10-10 08:34 回复TA
@dirtwillfly ：MOS管耐压选择有没有经验之谈？还请指点一二。 
dirtwillfly 2024-10-10 08:31 回复TA
@badlion888 ：是的 
badlion888 2024-10-9 15:02 回复TA
@dirtwillfly ：请问您说的是什么余量？是MOS的耐压么？ 
dirtwillfly 2024-9-30 17:29 回复TA
这示波器不错啊 
王栋春 2024-9-30 17:25 回复TA
@dirtwillfly ：好的，我等一下再试试看。 
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沙发
badlion888| | 2024-9-30 09:09 | 只看该作者
楼主我也遇到了同样的问题，直流输入1000V-1500V，输出180V，MOS经常发生击穿，输入电感还会发生打火现象。请问您的问题解决了吗？

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板凳
badlion888| | 2024-10-9 14:59 | 只看该作者
楼主我也遇到了同样的问题，直流输入1000V-1500V，输出180V，MOS经常发生击穿，输入电感还会发生打火现象。请问您的问题解决了吗？

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地板
王栋春|  楼主 | 2024-10-10 08:00 | 只看该作者
badlion888 发表于 2024-10-9 14:59
楼主我也遇到了同样的问题，直流输入1000V-1500V，输出180V，MOS经常发生击穿，输入电感还会发生打火现象。 ...

问题已经由其他同事接手，坛友的问题应该是绝缘击穿的原因。

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5楼
steelen| | 2024-10-22 11:25 | 只看该作者
加个吸收回路，二极管导通需要时间

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