[技术讨论] 双管正激MOSFET切换负载损坏

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 楼主| 王栋春 发表于 2024-8-21 22:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近在做一款输入1500V、300W的双管正激电源,拓扑图如下。选用的MOSFET是1700V的,在输入电压为1500V,负载在额定60%时,电源运行稳定。上管的DS波形如下。当负载从额定60%切换到100%时,上管MOSFET就会被击穿。电流也很小、电压也有原边的二极管钳位,就不知为啥会被击穿。
拓扑线路图:

上管DS波形:

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评论

楼主用的什么电源芯片?  发表于 2024-10-12 13:18
@dirtwillfly :驱动电路非常成熟,感觉就是IGBT模块过压击穿。  发表于 2024-10-10 16:15
@王栋春 :mos或IGBT预留电压余量是一方面,经常炸还有可能是驱动电路问题  发表于 2024-10-10 15:57
@dirtwillfly :收到,,我们这边矿井AC660V逆变焊机,采用1200VIGBT模块经常炸。  发表于 2024-10-10 08:59
@王栋春 :我做电机控制的时候一般都留不少于30%的余量。其他应用场合不是太熟悉  发表于 2024-10-10 08:36
@dirtwillfly :MOS管耐压选择有没有经验之谈?还请指点一二。  发表于 2024-10-10 08:34
@badlion888 :是的  发表于 2024-10-10 08:31
@dirtwillfly :请问您说的是什么余量?是MOS的耐压么?  发表于 2024-10-9 15:02
这示波器不错啊  发表于 2024-9-30 17:29
@dirtwillfly :好的,我等一下再试试看。  发表于 2024-9-30 17:25
badlion888 发表于 2024-9-30 09:09 | 显示全部楼层
楼主我也遇到了同样的问题,直流输入1000V-1500V,输出180V,MOS经常发生击穿,输入电感还会发生打火现象。请问您的问题解决了吗?
badlion888 发表于 2024-10-9 14:59 | 显示全部楼层
楼主我也遇到了同样的问题,直流输入1000V-1500V,输出180V,MOS经常发生击穿,输入电感还会发生打火现象。请问您的问题解决了吗?
 楼主| 王栋春 发表于 2024-10-10 08:00 | 显示全部楼层
badlion888 发表于 2024-10-9 14:59
楼主我也遇到了同样的问题,直流输入1000V-1500V,输出180V,MOS经常发生击穿,输入电感还会发生打火现象。 ...

问题已经由其他同事接手,坛友的问题应该是绝缘击穿的原因。
steelen 发表于 2024-10-22 11:25 | 显示全部楼层
加个吸收回路,二极管导通需要时间
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