比较经典的MOS管驱动电路

登录 · 发表于 2024-8-27 05:36

1）图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻，其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路，一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大，对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响，因此在后文分析mos的开关瞬态时，均忽略Rpd的影响。

2）：Cgd，Cgs ，Cds为mos管的三个寄生电容，在mos管开关瞬态时，这三个电容的非常重要。

发表于 2024-9-3 16:15

利用自举电容来提高驱动电压，适用于低压应用场合。能够有效降低导通电阻，提高效率。

发表于 2024-9-3 17:04

电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，适用于驱动能力较小的MOS管。设计时需注意电源IC的最大驱动峰值电流和MOS管的寄生电容，以确保MOS管能快速且有效地导通和关断

发表于 2024-9-3 17:45

推挽驱动电路由两个反向并联的驱动器组成，一个用于将MOS管的栅极驱至高电平，另一个用于将MOS管的栅极驱至低电平

发表于 2024-9-3 19:10

不同的驱动电路设计适用于不同的应用场景，工程师应根据具体需求选择合适的驱动方案。

发表于 2024-9-3 19:29

电路结构简单，成本低，易于实现。适用于对驱动要求不高、MOS 管寄生电容较小且电源 IC 驱动能力足够的场景。例如一些小功率的开关电源电路中，使用电源 IC 直接驱动 MOS 管可以满足基本的开关控制需求。

发表于 2024-9-3 22:35

MOS管驱动电路的设计需要综合考虑驱动电流、驱动电压、输出阻抗等因素，以确保MOS管能够快速、稳定地开关

发表于 2024-9-4 10:19

能够提供较大的驱动电流，加快MOS管的开关速度。

发表于 2024-9-4 10:31

可以显著减小 MOS 管的关断时间，降低关断损耗，提高电路的效率和可靠性。对于一些对开关速度要求较高的应用场景，如高频开关电源、PWM 调速电路等，加速关断驱动电路非常适用。

发表于 2024-9-4 10:58

需要根据应用确定开关速度，高速应用需要更快的驱动电路。

发表于 2024-9-4 11:10

当电源IC的驱动能力不足时，可采用推挽驱动方式。它由两个反向并联的驱动器组成，一个驱动器将MOS管的栅极驱至高电平，另一个驱动器将其驱至低电平。

发表于 2024-9-4 11:22

在 MOS 管的栅极驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管。通常，二极管的阳极连接到 MOS 管的栅极，阴极连接到并联的电阻，然后电阻的另一端连接到地（或电源的负极）。此外，还可能会增加一个三极管来辅助加速关断过程，三极管的基极连接到控制信号，发射极连接到 MOS 管的栅极，集电极连接到地。

发表于 2024-9-4 11:35

通过电阻和电容的组合来驱动MOS管。适用于低频应用，能够有效抑制高频噪声。

发表于 2024-9-4 11:47

加速关断驱动通过在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管（通常是快恢复二极管）来加速MOS管的关断过程。这种设计能提供一个尽可能低阻抗的通路，供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，从而保证开关管能快速关断

发表于 2024-9-4 11:59

通常使用一个晶体管或者一个逻辑门直接连接到MOS管的栅极。但是，这种电路不适合需要快速开关的应用，因为它提供的电流有限，无法快速充放电MOS管的栅极电容。

发表于 2024-9-4 12:12

在高压应用中，需要特殊的驱动电路来提供足够高的电压和电流以驱动MOS管，这种电路通常包括推挽式或者桥式驱动器。

发表于 2024-9-4 12:24

最常见的MOS管驱动电路之一。它由两个晶体管组成，一个用于驱动MOS管的栅极，另一个用于提供反馈。这种电路具有较高的驱动能力和较快的开关速度。

发表于 2024-9-4 12:37

MOS管一般都是慢开快关，但在某些应用中需要更快的关断速度。加速关断驱动通过在关断瞬间提供一个尽可能低阻抗的通路，使MOS管栅源极间电容快速放电，从而实现快速关断。

发表于 2024-9-4 12:49

当MOS管需要比电源电压更高的栅极电压时，可以使用电荷泵来生成一个比电源电压高的电压，从而确保MOS管可以完全开启。

发表于 2024-9-4 13:03

通过三极管增强MCU的IO驱动能力，匹配MOS管的驱动电平。

[应用方案] 比较经典的MOS管驱动电路

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