IGBT的问题

2万 · 2024-8-23 22:55

目前一般的IGBT说是只支持20kHz的开关频率，使用10kHZ或者12kHz，其开关频率由什么参数决定？关于Qg我看和MOS管也差不多，但是关断时Vce下降很慢。
如果我做PFC，其开关频率在40kHZ，我该如何选择器件？

只看该作者 · 2024-8-24 09:50

PFC还是用MOS管吧，氮化镓或者碳化硅的

2万 · 2024-8-24 09:57

yangnay 发表于 2024-8-24 09:50
PFC还是用MOS管吧，氮化镓或者碳化硅的

这个实际工作中见到的几乎都是MOS管，其它两种没有见到过。

只看该作者 · 2024-8-24 10:36

王栋春发表于 2024-8-24 09:57
这个实际工作中见到的几乎都是MOS管，其它两种没有见到过。

感觉碳化硅MOS管应该还是挺多的吧，功率稍微大点就是碳化硅mos

2万 · 2024-8-24 11:16

yangnay 发表于 2024-8-24 10:36
感觉碳化硅MOS管应该还是挺多的吧，功率稍微大点就是碳化硅mos

或许是还没有到老化损坏高峰期，俺主要是搞维修为主，

只看该作者 · 2024-8-24 11:58

IGBT有寄生晶闸管，电压上升过快dv/dt，寄生晶闸管会导通，造成器件烧毁，而MOS只有寄生三极管，不会出现晶闸管锁死那种烧器件的情况；当然IGBT属于双极性器件，速度天然弱于MOS这种单极性器件；IGBT优点是高压最高6000V+超大功率的应用。

2万 · 2024-8-24 12:52

六方晶碳发表于 2024-8-24 11:58
IGBT有寄生晶闸管，电压上升过快dv/dt，寄生晶闸管会导通，造成器件烧毁，而MOS只有寄生三极管，不会出现晶 ...

多谢坛友的专业解读，受教了！