电动汽车市场的蓬勃发展是SiC高速扩产的主要驱动力之一。安森美(onsemi) 深耕垂直整合链条“From powder to power ”（从小粉末到大能量）, 至2024年，在SiC衬底产能，裸芯片产品，封装产能，以及新产品开发领域，分别实现了10倍，12倍，4倍和3倍的增长。在SiC衬底、裸芯片、封装及新产品开发等方面取得了显著进展。SiC晶圆从150mm升级至200mm，工艺平台从M1六边形元胞结构演进到M3条形元胞结构，提高了性能并降低了成本。同时，创新的顶部散热封装提升了MOSFET的散热效果和功率密度。此外，安森美还在硅基IGBT技术上保持领先地位，新推出的深沟槽FS7 IGBT具有更低的饱和电压和开关损耗。对于MOSFET，公司正逐步量产采用T10工艺的新一代产品，进一步优化了芯片利用率和散热性能。总体而言，无论是基于硅还是碳化硅的功率模块，都在朝着更高效率、更小尺寸和更强散热能力的方向发展。
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