本帖最后由 zhao133 于 2025-6-11 16:57 编辑
经过一段时间对GHD1620T的测评，今天抽个时间给大家分享一下关于GHD1620T使用注意事项：
GHD1620T内部集成自举二极管、门极驱动电阻和门极下拉电阻，从理论上我们可以下图设计：GHD1620T直接驱动MOSFET或IGBT。
在产品开发调试过程中，建议保留下拉电阻，理由是：电路的不确定因素（如虚焊漏焊等，调试过程中保留下拉电阻，可防止MOSFET/IGBT击穿），量产后可以省掉下拉电阻，这样可以让产品变更更加简单，有利于集成度。
另外还有一部分比较重要的就是走线的注意，上桥臂导通原理：相对于输出，门极叠加一个自举电压VDD，若输出电压为0V时，上管导通电压为VDD，若输出电压为DC+，上管导通电压为DC+的电压基础上叠加VDD电压。我们layout时需让下桥臂走线尽量远离上桥臂走线，可参考下图。
最后就是gate driver的供电问题，规格书描述写着DC10V~20V，实际应用建议在DC12V~DC15V范围，分立方案（gate driver+功率管）最好使用12V。IPM方案我们一般使用15V供电（一般IPM在13.5V会欠压保护）。芯片的性能规格书上都会标注范围比较宽，我们做项目实际使用都会考虑降额使用，这样设计产品的可靠性才会得到保证。
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