如图,通过推挽变压器实现电气隔离,副边输出再经过倍压整流实现IGBT驱动所需要的+15V,-8V正负压。 SW2导通时: 电容C44充电,V_C44=12V_IN*(NS/NP)-VD;(VD为二极管正向导通压降)电容C1/C49充电,-8V_UB=-(V_NS1-VD) SW1导通时: 电容C44放电,电容C145/C43充电:+15V_UB=V_NS1+V_C44-VD=2*V_NS1-2*V_D
SW1和SW2另一边分别与GND_ANA相连接,其导通占空比均为50%,考虑到死区时间,可以选择导通占空比为48%左右。PWM芯片可以选用如UCC2808实现
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