英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

2024-9-20 11:38

本帖最后由 Burnon_FAE_4 于 2024-9-25 14:46 编辑

英飞凌科技股份公司9月11日宣布，已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200mm晶圆，300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。
基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信应用中快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。先进的GaN制造工艺能够提高器件性能，为终端客户的应用带来诸多好处，包括更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，凭借可扩展性，300mm制造工艺在客户供应方面具有极高的稳定性。