一、技术突破概述
技术名称：全球首款300mm（12英寸）氮化镓功率半导体晶圆技术
宣布时间：2024年9月11日
开发公司：英飞凌科技股份公司
二、技术特点与优势
晶圆尺寸：
从传统的200mm（8英寸）晶圆提升至300mm（12英寸），晶圆直径的扩大使得每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，生产效率显著提高。
生产效率与成本：
更大的晶圆尺寸有助于降低单片芯片的生产成本，提高整体生产效率。
300mm GaN晶圆技术可以利用现有的300mm硅制造设备，因为GaN和硅的制造工艺相似，这进一步降低了生产成本。
应用领域广泛：
GaN功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信等多个领域快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。
先进的GaN制造工艺能够为客户的应用带来更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。
三、市场影响与前景
推动市场增长：
英飞凌的这一技术突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。据估计，到2030年，GaN市场规模将达到数十亿美元。
行业领先地位：
英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司，进一步巩固了其在GaN市场的领先地位。
客户需求稳定性：
300mm晶圆通过可扩展性确保了上级客户供应的稳定性，有助于满足日益增长的市场需求。
四、公司战略与计划
产能扩张：
英飞凌表示将根据市场需求进一步扩大GaN产能，以满足不断增长的市场需求。
技术展示：
英飞凌计划在即将举行的慕尼黑电子展上向公众展示首批300mm GaN晶圆，展示其技术实力和创新能力。 |
