|
为了设计一个有效的余电快速泄放电路，关键在于为负载电路中的大容量电容提供一个低阻抗的放电路径，以便在电源断开后能够迅速地将电容上的电荷泄放掉。 下面将介绍一种简单的余电快速泄放电路的实现方式及其原理。 电路组成 一个基本的余电快速泄放电路通常由以下几部分组成： 大容量电容：这是负载电路中的原始电容，需要快速放电。 泄放电阻：这是一个低阻值（但需要考虑功耗）的电阻，用于在电源断开后提供电容的放电路径。 可选的开关元件（MOSFET或二极管）：在设计中，可能会使用一个可控开关元件来控制泄放电阻的接入，以便在需要时快速启动放电过程，而在正常工作时则断开，以减少不必要的功耗。 电路设计简单泄放电路 对于简单的应用，可以直接将泄放电阻并联在电容的两端。这样，当电源断开时，电容会通过放电。电阻的阻值选择需要权衡放电速度和功耗：阻值越小，放电速度越快，但功耗也越大；阻值越大，功耗越小，但放电速度会减慢。 带开关的泄放电路为了提高效率，可以使用一个开关元件（P-Channel MOSFET）来控制泄放电阻的接入。当电源关闭时，通过控制信号（可能是通过另一个微控制器或简单的延时电路触发）使MOSFET导通，从而接入泄放电阻，开始快速放电。当电容电压降低到安全水平后，再关闭MOSFET，断开泄放电阻，以减少功耗。 电路举例： 开关SW1闭合后，电压5V-In通过二极管D1成为电压4.7V-Out。因为二极管D1用了1N5819，这是一个肖特基二极管，其正向压降比较小，约为0.3V。此时三极管Q1的b极电压为5V，e极电压为4.7V，Q1不导通。 开关SW1断开后，三极管Q1的e极电压从4.7V开始下降，b极电压从4V开始下降，Vbe = -0.7V，将Q1打开，大电容C1的电压4.7V-Out通过三极管Q1、电阻R2快速泄放到地。 ![]()
VCC供电时： 二极管D1导通：由于二极管D1的正向导通特性，当VCC施加电压时，D1会允许电流从VCC流向负载（通过RLoad）。 三极管Q12截止：此时，三极管Q12的基极没有接收到足够的电压或电流来使其导通，因此它处于截止状态，不参与VCC到负载的电流路径。 能量消耗：电阻R39（尽管在您的描述中未直接说明R39在VCC供电时的具体作用，但通常它可能与D1并联或用于其他目的）和二极管D1都会消耗一定的能量。二极管D1的压降（通常是0.2V至0.7V）和R39的电阻值（如果它确实在电流路径中）都会导致能量损失。 ![]()
VCC断电时： 二极管D1截止：当VCC断电时，二极管D1不再导通，切断了VCC到负载的电流路径。 三极管Q12导通：在设计中，当VCC断电时，可能有一个电路（反相器或延时电路）使三极管Q12的基极接收到足够的电压或电流来使其导通。这样，电容C18上储存的电荷就可以通过三极管Q12和电阻R38释放，为某些电路提供短暂的电力或进行平滑处理。 电容C18放电：电容C18在VCC供电期间会充电，当VCC断电时，它通过三极管Q12和R38放电。这个过程可以用于保护电路免受突然断电的影响，或者为某些需要逐渐关闭的电路提供时间。 ![]()
VCC供电时： 二极管D2导通，允许VCC为储能电容C19充电。此时，C19储存电能以备VCC断电时使用。 三极管Q13和Q14的基极电压不足以使它们导通（因为VCC直接通过D2为负载供电，且Q13和Q14的基极电压被下拉电阻R41拉低），所以它们处于截止状态。 VCC直接为负载RLoad供电，同时C19也在充电。 ![]()
VCC断电时： 二极管D2截止，因为VCC不再提供电压。 储能电容C19开始为负载RLoad供电，但由于负载的消耗，C19上的电压逐渐下降。 当C19上的电压下降到大约VCC-Vd-Vbe（其中Vd是二极管D2的正向导通压降，Vbe是三极管Q13的基极-发射极电压）时，三极管Q13的基极电压足够高，使其进入导通状态。 Q13导通后，通过电阻R42为Q14的基极提供电流，使Q14也导通。 Q14导通后，负载电容C21（假设这是指与负载相关的某个电容，虽然原文中未明确提及）上的电荷通过Q14和放电电阻R43快速释放，实现快速放电。 ![]()
总结：设计一个有效的余电快速泄放电路关键在于提供低阻抗放电路径。电路通常由大容量电容、泄放电阻及可选开关元件（MOSFET或二极管）组成。简单电路直接将泄放电阻并联在电容两端，但可能增加功耗。更高效的设计采用开关元件控制泄放电阻接入，以减少功耗。当VCC供电时，电容充电且泄放电路不工作；断电后，电容通过导通的三极管和泄放电阻快速放电。这种方式保护电路免受余电影响，确保安全断电。设计时应权衡放电速度与功耗，合理选择电阻值和开关元件。
| 
楼主
标题置顶
标题高亮
