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IGBT能替换MOS管

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沙发
cctv19881023| | 2024-10-2 09:36 | 只看该作者
贵啊,体积太大啊

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板凳
王栋春|  楼主 | 2024-10-2 10:07 | 只看该作者

有些同行表示IGBT的响应速度较慢,达不到高速要求,也不知有没有依据?

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地板
六方晶碳| | 2024-10-2 14:11 | 只看该作者
IGBT就是MOS与三极管结合体,MOS的输入特性,三极管输出特性,优点是更容易高压大功率化,缺点是速度远不如MOS。

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王栋春|  楼主 | 2024-10-2 15:06 | 只看该作者
六方晶碳 发表于 2024-10-2 14:11
IGBT就是MOS与三极管结合体,MOS的输入特性,三极管输出特性,优点是更容易高压大功率化,缺点是速度远不如 ...

这个速度主要指的是导通还是关断?谢谢。

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linxi6414| | 2024-10-3 01:06 | 只看该作者
王栋春 发表于 2024-10-2 15:06
这个速度主要指的是导通还是关断?谢谢。

MOS可以轻松做到几百K,而IGBT,常规的频率只有20K,现在新出的IGBT最高也只能到60K,好像是这样值,具体的可以去英飞菱的官网看看。

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cctv19881023| | 2024-10-6 09:36 | 只看该作者
王栋春 发表于 2024-10-2 10:07
有些同行表示IGBT的响应速度较慢,达不到高速要求,也不知有没有依据?

频率快和电流大,这两者天然存在矛盾,只能在里面协调

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王栋春|  楼主 | 2024-10-6 10:28 | 只看该作者
linxi6414 发表于 2024-10-3 01:06
MOS可以轻松做到几百K,而IGBT,常规的频率只有20K,现在新出的IGBT最高也只能到60K,好像是这样值,具体 ...

好的,看来两者的频率还是有很大差距的,不过做为功率器件IGBT较为常用。

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