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[逆变器]

死区时间问题

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王栋春|  楼主 | 2024-10-9 21:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
请教一下,如果半桥LLC芯片的死区时间是300ns,而半桥驱动芯片的死区是150ns,搭配使用的话,那MOS管上下管的死区时间是多大?两者相加吗?

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沙发
Siderlee| | 2024-10-23 09:00 | 只看该作者
看驱动芯片的的逻辑

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板凳
王栋春|  楼主 | 2024-10-23 09:41 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2024-10-23 09:00
看驱动芯片的的逻辑

谢谢,还能具体一点说说吗?

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地板
Siderlee| | 2024-10-24 17:20 | 只看该作者
一般情况下取最大

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5
王栋春|  楼主 | 2024-10-25 08:04 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2024-10-24 17:20
一般情况下取最大

谢谢,我改天测试一下看看效果。

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