接触ESD测试为何STM8S003也过不了±4KV?
1.实验室数据与手册指标的矛盾
按IEC61000-4-2对STM8S003做接触4KV ESD测试，STM8S003芯片均FAIL。
测试过程：STM8S003主板通电运行时，静电枪+4KV在每个GPIO上打10枪，再换-4KV在每个GPIO上打10枪。
±4KV的测试要求，是参考STM8S003数据手册来要求的，如下图：
从上图看，级别2B在IEC 61000-4-2上，确实对应±4KV。
测试数据记录如下：
多次优化软件，变更PCB，实测STM8S003都是在3KV就FAIL了，通过不了手册中提及的4KV。
为更了解ESD测试，找到网上有以下与EMC测试有关的文件：
其中ST的应用手册AN1709中有以下描述：
从上面ST应用手册的选段上看，ST并没有直接用1000-4-2标准来做ESD测试，而是通过大量统计论证后自己制定了一张对应关系图表（我们后面称为ST转换表），用于ST内部芯片EMC测试。从表上看，在1000-4-2标准上是用4KV测试的，ST实际只用0.5-1KV进行测试。原因也可以理解：1000-4-2实际上是用于成品产品ESD测试的标准，一般成品产品都是带保护外壳，只露出USB端口、电源开关、按键、显示屏等，所以ESD接触测试时，静电枪只会打在类似USB端口外壳这样的部位上，而不会直接打到主板上芯片的GPIO上；而如今，如果不使用ST的转换表，直接用1000-4-2标准上用于成品ESD测试的电压，直接打在我们MCU上的GPIO上，可想而知相比之下，区别有多大，破坏力有多强。因此可以推断，ST转换表，应该是合理的。
接下来的任务，是通过实验来证实：ST芯片的实测值符合ST转换表。
2.测试验证
（注意，测试每枪之间要有泄放电操作，否则有可能造成静电积累。下面做两个对比实验，每开一枪，用放电棒对被打的GPIO进行放电，避免静电积累，然后再打下一枪。）
实验1:下图是对STM8S003进行的ESD测试，每打一枪都会放电一次，以去除前面的静电积累。但实测STM8S003仍过不了2KV。这也反映了ST转换表的有效性。
实验2:下图是对STM32F103VBT6进行的ESD测试，每打一枪都会放电一次，以去除前面的静电积累。但实测ST仍过不了2KV。这也反映了ST转换表的有效性。
3.总结
经多次实验数据，发现STM8S003和STM32F103在±2KV的ESD测试中都出现过C级Fail。而±1KV能通过测试。ST转换表应该是有效的，合理的。
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