窄脉冲是不是容易把MOS损坏?如何优化？

发表于 2024-10-16 21:37

窄脉冲是不是容易把MOS损坏?如何优化？有些产品，在待机时也要输出一点功率，此时脉冲比较窄，不到1%，应该如何优化呢？

发表于 2024-10-17 11:01

通过选择合适的MOSFET（高开关频率高耐压低寄生电容，减少导通损耗）、优化PCB设计（布局优化）、使用缓冲电路（在MOSFET的漏极和源极之间加入RC缓冲电路，以吸收电压尖峰和电流尖峰，从而保护MOSFET）、优化驱动电路以及采用软开关技术等方法，可以有效减少窄脉冲对MOSFET的损害。在待机时输出少量功率的情况下，可以通过降低开关频率、使用PWM调制（PWM调制来应对低功率情况也可以解决）、采用频率折返技术以及优化控制策略等措施来优化窄脉冲的使用。

发表于 2024-10-17 11:11

pk99660 发表于 2024-10-17 11:01
通过选择合适的MOSFET（高开关频率高耐压低寄生电容，减少导通损耗）、优化PCB设计（布局优化）、使用缓冲 ...

收到，谢谢坛友的指点迷津，我理解吸收。

[技术讨论] 窄脉冲是不是容易把MOS损坏?如何优化？

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