打印
[技术讨论]

窄脉冲是不是容易把MOS损坏?如何优化?

[复制链接]
645|2
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
沙发
pk99660| | 2024-10-17 11:01 | 只看该作者
通过选择合适的MOSFET(高开关频率高耐压低寄生电容,减少导通损耗)、优化PCB设计(布局优化)、使用缓冲电路(在MOSFET的漏极和源极之间加入RC缓冲电路,以吸收电压尖峰和电流尖峰,从而保护MOSFET)、优化驱动电路以及采用软开关技术等方法,可以有效减少窄脉冲对MOSFET的损害。在待机时输出少量功率的情况下,可以通过降低开关频率、使用PWM调制(PWM调制来应对低功率情况也可以解决)、采用频率折返技术以及优化控制策略等措施来优化窄脉冲的使用。

使用特权

评论回复
板凳
王栋春|  楼主 | 2024-10-17 11:11 | 只看该作者
pk99660 发表于 2024-10-17 11:01
通过选择合适的MOSFET(高开关频率高耐压低寄生电容,减少导通损耗)、优化PCB设计(布局优化)、使用缓冲 ...

收到,谢谢坛友的指点迷津,我理解吸收。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

3485

主题

24390

帖子

71

粉丝