我在做一个电机驱动实验,看的有人发帖问,我也想试试。
问了GPT,一通胡扯八道,不过在我提供了足够的信息后,开始回答的可靠了。
提问:12V供电,通过NMOS驱动775直流有刷电机,堵转时候电流有多大,根据你的知识库经验给我推荐一下。
GPT:775直流有刷电机在堵转时的电流通常很大,可能达到几十安培。具体的堵转电流取决于电机的额定功率和工作电压。
一般情况下,775电机的额定电压为12V,堵转电流可能在30A到50A之间,有时甚至更高。为了避免电路过载,建议使用一个额定电流足够大的NMOS,同时加入适当的过流保护,例如使用熔丝或限流电路。你也可以在电源和电机之间串联一个电流感应电阻,或者使用电流传感器来实时监控电流。
选择NMOS时,最好选择一个具备足够的电流和功率余量的型号,确保其导通电阻较低以减少功耗和发热问题。例如,可以考虑使用IRLZ44N或类似的低导通电阻、可承受高电流的MOSFET。
提问:如果在源极接地端串联一个100mΩ的电阻采样,该电阻是否需要并联一个电容,并联多大的电容合适,驱动NMOS的开关频率为20KHz
GPT:在源极接地端串联100mΩ电阻用于电流采样时,通常建议并联一个电容以滤除高频开关噪声,避免PWM信号带来的干扰影响测量精度。由于你的开关频率是20kHz,电容的选择应考虑两个因素:
滤除高频噪声:电容的作用是将高频分量旁路掉,而不影响直流或低频分量的测量。
避免响应延迟过大:电容值不宜过大,以免影响采样的响应速度,尤其是当你需要实时监控电流时。
选择电容值的建议:
你可以选择一个典型范围在1nF到100nF之间的电容,具体值依赖于你的系统对噪声的敏感度以及对测量精度的要求。
1nF-10nF:这类较小的电容适合滤除非常高频的噪声而不影响测量响应时间。如果你对噪声较不敏感,可以从小值开始。
10nF-100nF:如果你的电路中存在较大的高频噪声,可以考虑稍大一点的电容来提高滤波效果。
示例计算:
设你选择并联10nF的电容,那么该电阻和电容的RC时间常数为:τ=R⋅C=100mΩ⋅10nF=1μs
这个时间常数足够快,能对20kHz的开关信号进行适当的滤波而不会影响电流采样的速度。
因此,10nF电容是一个不错的初始选择。你可以根据实际的电流采样精度和噪声情况进行调整。如果噪声问题严重,尝试更大电容值;如果响应速度不够快,则减小电容。
提问:在以上情况下,检测采样电阻在堵转时候能有多大的电压?
GPT:当775直流有刷电机在堵转时,电流会急剧增加,因此通过源极接地端的100mΩ采样电阻的电压也会相应增加。假设堵转时的电流为30A到50A(这是775电机常见的堵转电流范围),我们可以根据欧姆定律来计算采样电阻上的电压:V=I×R
计算:
如果堵转电流为30A:V=30A×0.1Ω=3V
如果堵转电流为50A:V=50A×0.1Ω=5V
因此,在堵转时,采样电阻两端的电压可能在3V到5V之间。这取决于具体的堵转电流,实际电流可能因为不同电机的规格和具体电路的供电条件而有所不同。
你需要确保你的电流检测电路能够测量并处理这个电压范围,同时,MOSFET和其他相关元件也需要能承受这种高电流状态下的功率损耗和发热。
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