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IO驱动MOS方法

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楼主
MOS管是电压驱动,MOS管开启最低驱动电压为3V~5V左右,不同型号MOS管驱动电压不同,一些小功率MOS管最低驱动电压为2.5V左右,单片机I/O口可以直接驱动,但是此时MOS管处于半导通状态,内阻很大,驱动小电流负载可以这么使用。大电流负载就不可以这么使用了,内阻大,管子的功耗过大,很容易烧毁MOS管。MOS管达到饱和状态所需驱动电压一般为6V~10V左右,3.3V的电压不足以直接驱动MOS管使其饱和。因此,可以在I/O口的输出端加一级三极管,使MOS管的驱动电压变高。举例说明,仅供参考,原理如下图所示。




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沙发
mintspring| | 2024-10-28 16:10 | 只看该作者
光耦隔离那个好用吗

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板凳
稳稳の幸福| | 2024-10-29 20:50 | 只看该作者
学习一下,Multisim里面可以仿真吗?

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地板
643757107| | 2024-11-27 21:04 | 只看该作者
对NMOS和PMOS不是特别懂。

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玛尼玛尼哄| | 2024-11-28 19:26 | 只看该作者
有时候提高IO的驱动能力很重要。

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yiy| | 2024-11-29 15:30 | 只看该作者
还有那种MOS对的,不知道如何用。

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