本帖最后由 王栋春 于 2024-10-29 22:19 编辑
在做多路输出的反激，在测试短路保护功能时候发现，主反馈路短路后，整个电源可以直接保护，正常触发了芯片CS口（电流采样口）大于1V的保护；但是我在短路非主反馈路的时候，发现短路后原边MOS的占空比居然增大了，虽然增大了但没足以让原边过流，芯片短路保护没有触发；
这里我就很有疑问：按理上说原边MOS的占空比应该只跟主反馈路的电压有关，非反馈路的负载变化为什么影响了占空比？从现象上来看，非反馈路加载引起主反馈路电压波动了从而环路使MOS占空比变化，但是想不明白这个影响的原理是什么？
后来查了一些资料，原边的能量会按照漏感的比例分配给副边各个绕组（交叉调整率），但是非主反馈短路（加载）的话也不会影响漏感啊，能量分配理论上不会变才对。同事已经是黔驴技穷了，所以想请教一下各位坛友。
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