FLASH和SRAM的区别

发表于 2024-11-16 09:41

闪存是一种非易失性存储器，在断电后可以长时间保留数据，而sram是一种易失性存储器，在断电后会丢失数据。

发表于 2024-11-16 16:15

闪存和sram在单个芯片中扮演互补的角色，

发表于 2024-11-17 12:03

闪存通常比sram具有更大的存储容量，这使得闪存适合于存储大量程序代码。

发表于 2024-11-17 15:01

Sram通常用于在程序执行期间存储中间变量和临时数据，

发表于 2024-11-17 15:13

FLASH的读取速度通常比SRAM慢，写入速度更慢，因为写入前需要进行擦除操作。

发表于 2024-11-17 17:18

与SRAM相比，FLASH的读取速度较慢，但成本较低，适合用于程序存储或低速数据读取

发表于 2024-11-20 09:13

SRAM访问速度快，常用于存储程序运行时的变量和堆栈数据；而Flash速度相对较慢，主要用于存储程序代码和大型数据。

发表于 2024-11-20 13:48

闪存的读取速度通常比sram慢，写入速度也比SRAM慢，因为在写入之前需要执行擦除操作。

发表于 2024-11-20 20:25

由于成本和功耗的考虑，SRAM的容量通常较小，仅用于存储临时数据和程序运行时所需的少量信息。

发表于 2024-11-21 07:05

FLASH和SRAM的区别在于：FLASH是非易失性存储器，可长期保存数据；而SRAM是静态随机存取存储器，速度快但耗电量大，属于易失性内存。

发表于 2024-11-21 12:34

与FLASH不同，SRAM是一种易失性存储器。这意味着一旦电源关闭，SRAM中的内容就会丢失。因此，SRAM不适合用于长期存储数据。

发表于 2024-11-21 15:24

SRAM具有非常快的读写速度，这使得它非常适合用于需要频繁、快速访问的数据存储。然而，SRAM的成本较高，因此在设计中通常只会分配相对较小的容量。

发表于 2024-11-21 16:37

存储方式，读写速度，成本与容量，耐用性和可靠性

发表于 2024-11-21 17:23

FLASH的可写入次数有限，每次写入后都需要执行擦除操作才能再次写入新的数据。这种特性使得FLASH不适合频繁修改的数据存储

发表于 2024-11-22 16:50

FLASH是非易失性的，适合存储固定程序代码；而SRAM是易失性的，适合存储需要快速读写和修改的数据。

发表于 2024-11-22 18:04

Flash以其大容量、低成本和非易失性，用于存储程序代码和固定数据；而SRAM以其高速和易访问性，用于程序运行时的数据存储和缓冲。

发表于 2024-11-22 18:52

FLASH 是一种非易失性存储器，这意味着在断电后，存储在 FLASH 中的数据不会丢失。它主要用于存储程序代码和一些常量数据。例如，当你把编写好的单片机程序通过编程器写入 FLASH 后，即使单片机完全断电，下次上电时，程序依然可以从 FLASH 中加载并运行。

发表于 2024-11-22 19:13

FLASH的容量通常比SRAM大，而且随着技术的进步，FLASH的容量还在不断增加。
SRAM的成本相对较高，特别是在大容量时。因此，在需要大容量存储的场合，FLASH通常是更经济的选择。

发表于 2024-11-22 20:52

FLASH的读取速度相对较慢，而且写入操作通常需要较长的时间。此外，FLASH的写入次数是有限的，经过一定次数的擦写后，性能可能会下降。

发表于 2024-11-22 21:14

SRAM在保持数据时不需要额外的功耗，因为它利用晶体管内部的电容来存储数据。然而，当电源关闭时，数据会丢失。
FLASH在读取数据时功耗较低，但在写入和擦除数据时功耗较高。不过，由于FLASH是非易失性的，所以在断电时不需要额外的功耗来保持数据。

[STM32F4] FLASH和SRAM的区别