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[STM32F4]

FLASH和SRAM的区别

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41楼
明日视界| | 2024-11-16 16:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
闪存和sram在单个芯片中扮演互补的角色，

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42楼
芯路例程| | 2024-11-17 12:03 | 只看该作者
闪存通常比sram具有更大的存储容量，这使得闪存适合于存储大量程序代码。

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43楼
天天向善| | 2024-11-17 15:01 | 只看该作者
Sram通常用于在程序执行期间存储中间变量和临时数据，

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44楼
jackcat| | 2024-11-17 15:13 | 只看该作者
FLASH的读取速度通常比SRAM慢，写入速度更慢，因为写入前需要进行擦除操作。

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45楼
jimmhu| | 2024-11-17 17:18 | 只看该作者
与SRAM相比，FLASH的读取速度较慢，但成本较低，适合用于程序存储或低速数据读取

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46楼
lzbf| | 2024-11-20 09:13 | 只看该作者
SRAM访问速度快，常用于存储程序运行时的变量和堆栈数据 ；而Flash速度相对较慢，主要用于存储程序代码和大型数据。

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47楼
鹿鼎计| | 2024-11-20 13:48 | 只看该作者
闪存的读取速度通常比sram慢，写入速度也比SRAM慢，因为在写入之前需要执行擦除操作。

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48楼
1988020566| | 2024-11-20 20:25 | 只看该作者
由于成本和功耗的考虑，SRAM的容量通常较小，仅用于存储临时数据和程序运行时所需的少量信息。

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49楼
LinkMe| | 2024-11-21 07:05 | 只看该作者
FLASH和SRAM的区别在于：FLASH是非易失性存储器，可长期保存数据；而SRAM是静态随机存取存储器，速度快但耗电量大，属于易失性内存。

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50楼
alvpeg| | 2024-11-21 12:34 | 只看该作者
与FLASH不同，SRAM是一种易失性存储器。这意味着一旦电源关闭，SRAM中的内容就会丢失。因此，SRAM不适合用于长期存储数据。

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51楼
cemaj| | 2024-11-21 15:24 | 只看该作者
SRAM具有非常快的读写速度，这使得它非常适合用于需要频繁、快速访问的数据存储。然而，SRAM的成本较高，因此在设计中通常只会分配相对较小的容量。

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52楼
顽强de板子| | 2024-11-21 16:37 | 只看该作者
存储方式，读写速度，成本与容量，耐用性和可靠性

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53楼
ulystronglll| | 2024-11-21 17:23 | 只看该作者
FLASH的可写入次数有限，每次写入后都需要执行擦除操作才能再次写入新的数据。这种特性使得FLASH不适合频繁修改的数据存储

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54楼
alvpeg| | 2024-11-22 16:50 | 只看该作者
FLASH是非易失性的，适合存储固定程序代码；而SRAM是易失性的，适合存储需要快速读写和修改的数据。

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55楼
maudlu| | 2024-11-22 18:04 | 只看该作者
Flash以其大容量、低成本和非易失性，用于存储程序代码和固定数据；而SRAM以其高速和易访问性，用于程序运行时的数据存储和缓冲。

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56楼
plsbackup| | 2024-11-22 18:52 | 只看该作者
FLASH 是一种非易失性存储器，这意味着在断电后，存储在 FLASH 中的数据不会丢失。它主要用于存储程序代码和一些常量数据。例如，当你把编写好的单片机程序通过编程器写入 FLASH 后，即使单片机完全断电，下次上电时，程序依然可以从 FLASH 中加载并运行。

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57楼
wangdezhi| | 2024-11-22 19:13 | 只看该作者
FLASH的容量通常比SRAM大，而且随着技术的进步，FLASH的容量还在不断增加。
SRAM的成本相对较高，特别是在大容量时。因此，在需要大容量存储的场合，FLASH通常是更经济的选择。

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58楼
vivilyly| | 2024-11-22 20:52 | 只看该作者
FLASH的读取速度相对较慢，而且写入操作通常需要较长的时间。此外，FLASH的写入次数是有限的，经过一定次数的擦写后，性能可能会下降。

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59楼
sdlls| | 2024-11-22 21:14 | 只看该作者
SRAM在保持数据时不需要额外的功耗，因为它利用晶体管内部的电容来存储数据。然而，当电源关闭时，数据会丢失。
FLASH在读取数据时功耗较低，但在写入和擦除数据时功耗较高。不过，由于FLASH是非易失性的，所以在断电时不需要额外的功耗来保持数据。

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60楼
wex1002| | 2024-11-23 06:17 | 只看该作者
存储方法、读写速度、成本和容量、耐用性和可靠性

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