英飞凌的SiC MOS不需要负压吧？

只看该作者 · 2024-10-30 19:23

本帖最后由中国龙芯CDX 于 2024-10-30 19:24 编辑

如果单纯从抑制寄生导通的角度看，对于一个设计良好的电路，英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的。但是负压对关断损耗有影响。SiC MOSFET的Vgs负压对Rdson和Esw的影响Vgs负压不同，其Rdson不变
Vgs负压越低，其Esw越低(Eoff)

因此，如果选择Vgs=-3V关断，对于SiC的Rdson无所助益，但是对关断损耗Eoff的减小还是比较明显的，
尤其对一些只有关断损耗Eoff的场合收益明显。同时选择Vgs=-3V对降低开通时刻的寄生导通风险也是立竿见影。