发新帖我要提问
返回列表
打印
[其它产品/技术]

英飞凌的SiC MOS不需要负压吧？

[复制链接]
456|15
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
中国龙芯CDX|  楼主 | 2024-10-30 19:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, sic, 负压, 英飞凌, GS, dso
本帖最后由 中国龙芯CDX 于 2024-10-30 19:24 编辑

如果单纯从抑制寄生导通的角度看，对于一个设计良好的电路，英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的。但是负压对关断损耗有影响。SiC MOSFET的Vgs负压对Rdson和Esw的影响Vgs负压不同，其Rdson不变
Vgs负压越低，其Esw越低(Eoff)

因此，如果选择Vgs=-3V关断，对于SiC的Rdson无所助益，但是对关断损耗Eoff的减小还是比较明显的，
尤其对一些只有关断损耗Eoff的场合收益明显。同时选择Vgs=-3V对降低开通时刻的寄生导通风险也是立竿见影。

使用特权

评论回复 赏
沙发
小夏天的大西瓜| | 2024-10-30 19:45 | 只看该作者
英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的

使用特权

评论回复 赏
板凳
小小蚂蚁举千斤| | 2024-10-30 23:52 | 只看该作者
如果选择Vgs=-3V关断，对于SiC的Rdson无所助益

使用特权

评论回复 赏
地板
地瓜patch| | 2024-10-31 07:47 | 只看该作者
正偏置还是负偏置？

使用特权

评论回复 赏
5楼
kmnqhaha| | 2024-12-2 16:45 | 只看该作者
从抑制寄生导通和关断损耗的角度来看，负压关断对于SiC MOSFET具有一定的影响

使用特权

评论回复 赏
6楼
地瓜patch| | 2024-12-2 20:46 | 只看该作者
没看到负压的描述

使用特权

评论回复 赏
7楼
hhdhy| | 2024-12-23 23:48 | 只看该作者
是的，英飞凌的SiC MOSFET不需要负压。

使用特权

评论回复 赏
8楼
eleg34ance| | 2024-12-25 07:17 | 只看该作者
SiC MOSFET是零栅极电荷的器件，因此不需要额外的负压来耗尽通道。

使用特权

评论回复 赏
9楼
gra22ce| | 2024-12-25 08:33 | 只看该作者
SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的效率。

使用特权

评论回复 赏
10楼
hight1light| | 2024-12-25 10:30 | 只看该作者
一般来说是不要负压的吧

使用特权

评论回复 赏
11楼
pe66ak| | 2024-12-25 12:33 | 只看该作者
你主要是看电路设计啊，看芯片的设计啊

使用特权

评论回复 赏
12楼
miltk| | 2024-12-25 14:55 | 只看该作者
不知道用不用负压电源，一般情况运放才会用到负压

使用特权

评论回复 赏
13楼
星星点点didi| | 2024-12-25 15:36 | 只看该作者
你这个算是MOS应该不会有负压存在吧

使用特权

评论回复 赏
14楼
一切D都好| | 2024-12-25 17:31 | 只看该作者
可以不用负压的啊，负压生成多麻烦啊

使用特权

评论回复 赏
15楼
teaccch| | 2024-12-25 19:23 | 只看该作者
其实开关的的切换就调高点驱动就好了

使用特权

评论回复 赏
16楼
twinkhahale| | 2024-12-25 20:18 | 只看该作者
一般是不用负压的，主要负压很麻烦而且负压不好生成啊

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

中国龙芯CDX

282

主题

2156

帖子

4

粉丝